| 1 |
1
제1 도전형의 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 도전형의 제1 불순물을 포함하는 패시베이션 막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 내부로 상기 제1 불순물이 확산하도록 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하여 후면 전계층을 형성하는 단계; 및 상기 후면 전계층을 형성하는 단계 이후에 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서는, 상기 후면 전극이 형성될 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막의 부분을 가열하여, 상기 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막의 부분에 개구부가 형성되고, 상기 후면 전극을 형성하는 단계에서는, 상기 개구부를 관통하여 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 상기 후면 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계는, 상기 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막의 부분에 레이저를 조사하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서는, 상기 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막의 부분이 1200~1600℃의 온도로 가열되는 태양 전지의 제조 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서는, 상기 레이저에 의하여 상기 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막의 부분에 개구부가 형성되는 태양 전지의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 후면 전극을 형성하는 단계에서는 증착법 또는 도금법에 의하여 상기 후면 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계와 상기 패시베이션 막을 형성하는 단계 사이에, 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 도전형의 제2 불순물을 도핑하여 불순물 형성층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 후면 전계층은, 상기 후면 전극이 형성될 상기 제1 부분과, 상기 제1 부분 이외의 제2 부분을 포함하고, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계에서 상기 제1 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막을 가열하여 상기 제1 불순물을 상기 반도체 기판의 내부로 확산시켜 상기 제1 부분이 상기 제2 부분보다 낮은 저항을 가지도록 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물이 서로 다른 태양 전지의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1 불순물이 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 불순물이 보론을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 제1 부분은 상기 제1 불순물 및 상기 제2 불순물을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제2 불순물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 제1 부분에서 상기 제1 불순물의 농도가 상기 제2 불순물의 농도보다 높은 태양 전지의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제1 불순물이 알루미늄을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 패시베이션 막이 알루미늄 산화물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 14 |
14
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 패시베이션 막의 두께가 5~20nm인 태양 전지의 제조 방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 전면에 제2 도전형의 불순물을 도핑하여 에미터층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 16 |
16
제1 도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면에 형성되며 제2 도전형의 불순물을 포함하는 에미터층; 상기 반도체 기판의 후면에 형성되며, 상기 제1 도전형의 제1 불순물 및 상기 제1 불순물과 다른 물질의 제2 불순물을 포함하는 제1 부분, 그리고 상기 제2 불순물을 포함하여 상기 제1 부분보다 높은 저항을 가지는 제2 부분을 구비하는 후면 전계층; 상기 후면 전계층 위에 형성되며 상기 제1 불순물을 포함하는 패시베이션 막; 및상기 제1 부분에 대응하여 상기 패시베이션 막을 관통하여 상기 제1 부분에 전기적으로 연결되는 후면 전극을 포함하고, 상기 제1 부분에서 상기 제1 불순물의 농도가 상기 제2 불순물의 농도보다 높은 태양 전지
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 후면 전극이 일 방향으로 형성되는 버스바 전극과, 상기 버스바 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 핑거 전극을 포함하고, 상기 핑거 전극 전체가 상기 후면 전계층의 상기 제1 부분에 접촉하는 태양 전지
|
| 18 |
18
제16항에 있어서, 상기 제2 부분은 상기 제2 불순물만을 포함하는 태양 전지
|
| 19 |
19
제16항에 있어서, 상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제1 불순물이 알루미늄을 포함하고, 상기 제2 불순물이 보론을 포함하는 태양 전지
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
제18항에 있어서, 상기 후면 전극이 상기 제1 불순물을 포함하지 않는 태양 전지
|
