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기판;상기 기판 상에 배치되는 배리어층;상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,상기 후면전극층은 제 2 금속을 포함하고,상기 후면 버퍼층은 상기 제2 금속 및 상기 제2 금속과 다른 제1 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 알루미늄을 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속은 몰리브덴, 망간, 마그네슘, 나트륨, 리튬, 구리, 아연 또는 니켈로부터 선택되는 태양광 발전장치
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기판;상기 기판 상에 배치되는 배리어층;상기 배리어층 상에 배치되는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,상기 후면 버퍼층은 I족 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 후면전극층의 두께는 5㎚ 내지 10㎚인 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 철을 포함하고,상기 배리어층은 알루미늄 옥사이드를 포함하고,상기 후면 버퍼층은 알루미늄-몰리브덴계 합금을 포함하고,상기 후면전극층은 몰리브덴을 포함하는 태양광 발전장치
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기판 상에 배리어층을 형성하는 단계;상기 배리어층 상에 후면 버퍼층을 형성하는 단계;상기 후면 버퍼층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면전극층은 제 2 금속을 포함하고,상기 후면 버퍼층은 상기 제2 금속 및 상기 제2 금속과 다른 제1 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 배리어층은 알루미늄 옥사이드를 포함하고,상기 후면전극층은 몰리브덴을 포함하고,상기 후면 버퍼층은 알루미늄-몰리브덴계 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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기판 상에 배리어층을 형성하는 단계;상기 배리어층 상에 후면 버퍼층을 형성하는 단계;상기 후면 버퍼층 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 배리어층 및 상기 후면전극층 사이에 개재되는 후면 버퍼층을 포함하고,상기 후면 버퍼층은 I족 금속의 합금을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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