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광 흡수형 물질로 이루어진 선 격자 패턴으로 이루어진 편광 분리층을 갖는 선 격자 편광판을 마련하는 단계; 및상기 선 격자 편광판을 500 내지 1500℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는, 광 흡수형 물질로 이루어진 선 격자 패턴으로 이루어진 편광 분리층을 포함하고, 상기 편광 분리층에 200mW 세기의 자외선을 3시간 이상 조사한 후에 측정한 편광비 감소율이 20% 이하인 흡수형 선 격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 가시광선 및 자외선 영역에서 굴절율이 1 내지 10인 흡수형 선 격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 200nm 내지 400nm의 광 파장대역에서의 흡광 계수가 1 내지 10인 흡수형 선 격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 Si, AlGaAs, CdTe, Cr, Mo, Ni, W, GaAs, GaSb, GaP, GE, InGaAs, InP, InSb, ZnCdTe, ZnSeTe로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 흡수형 선 격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 5초 내지 4시간 동안 수행되는 것인 흡수형 선격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리는 비활성 기체 분위기 하에서 수행되는 것인 흡수형 선 격자 편광판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 편광 분리층을 갖는 선 격자 편광판을 마련하는 단계는, (i) 기판 상에 광 흡수형 물질층을 형성하는 단계; 및(ii) 상기 광 흡수형 물질층을 패터닝하여 선 격자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 선 격자 편광판의 제조 방법
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광 흡수형 물질로 이루어진 선 격자 패턴으로 이루어진 편광 분리층을 포함하고, 상기 편광 분리층에 200mW 세기의 자외선을 3시간 이상 조사한 후에 측정한 편광비 감소율이 20% 이하인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 가시광선 및 자외선 영역에서 굴절율이 1 내지 10인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 200nm 내지 400nm의 광 파장대역에서의 흡광 계수가 1 내지 10인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 광 흡수형 물질은 Si, AlGaAs, CdTe, Cr, Mo, Ni, W, GaAs, GaSb, GaP, GE, InGaAs, InP, InSb, ZnCdTe, ZnSeTe로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 선 격자 패턴은 그 피치가 80 내지 400 nm인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 선 격자 패턴은 그 높이가 20 내지 450 nm인 흡수형 선 격자 편광판
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제8항에 있어서,상기 흡수형 선 격자 편광판은 200nm 내지 400nm의 광 파장 대역에서의 편광비가 2 내지 2000인 흡수형 선 격자 편광판
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