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제1 저항을 가지는 제1 부분과 상기 제1 저항보다 작은 제2 저항을 가지는 제2 부분을 가지는 불순물층을 구비하는 태양 전지의 제조 방법에 있어서, 제1 도전형의 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 제1 면에 제2 도전형의 제1 불순물을 도핑하여 불순물 형성층을 형성하는 단계; 상기 불순물 형성층 위에 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 포함하는 패시베이션 막을 형성하는 단계; 상기 제2 부분에 대응하도록 상기 패시베이션 막을 가열하여 상기 제2 불순물을 상기 반도체 기판의 내부로 확산시켜 상기 제2 부분을 형성하고 나머지 상기 불순물 형성층이 제1 부분을 이루도록, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계 이후에 상기 제2 부분에 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계에서는, 상기 제2 부분에 대응하는 부분에서 상기 패시베이션 막에 개구부가 형성되고, 상기 제1 전극을 형성하는 단계에서는, 상기 개구부를 관통하여 상기 제2 부분에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계는, 상기 제2 부분에 대응하여 상기 패시베이션 막에 레이저를 조사하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물이 서로 다른 태양 전지의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 불순물층의 상기 제1 부분은 상기 제1 불순물을 포함하고, 상기 불순물층의 상기 제2 부분은 상기 제1 불순물 및 상기 제2 불순물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형이 n형이고, 상기 제2 도전형이 p형이며, 상기 불순물층이 에미터층이고, 상기 제2 불순물이 알루미늄을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 패시베이션 막이 알루미늄 산화물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 패시베이션 막의 두께가 5~20nm인 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계에서는, 상기 제2 부분에 대응하는 상기 패시베이션 막이 1200~1600℃의 온도로 가열되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션 막을 형성하는 단계와 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계 사이에, 상기 패시베이션 막 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계에서는 상기 반사 방지막 위에서 레이저를 조사하는 태양 전지의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 패시베이션 막을 선택적으로 가열하는 단계에서는, 상기 레이저에 의하여 상기 제2 부분에 대응하는 부분에서 상기 패시베이션 막 및 상기 반사 방지막에 상기 개구부가 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 다른 면에 후면 전계층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 후면 전계층이 제1 저항을 가지는 제1 부분과 상기 제1 저항보다 작은 제2 저항을 가지는 제2 부분을 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제1 도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 제1 면에 형성되며, 제2 도전형의 제1 불순물을 포함하여 제1 저항을 가지는 제1 부분과 상기 제1 불순물 및 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 포함하여 상기 제1 저항보다 작은 제2 저항을 가지는 제2 부분을 가지는 에미터층; 상기 에미터층 위에 형성되며 상기 제2 불순물을 포함하는 패시베이션 막; 상기 제2 부분에 대응하는 부분에서 상기 패시베이션 막을 관통하여 상기 제2 부분에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 반도체 기판에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물이 서로 다른 물질이고, 상기 제2 부분에서 상기 제2 불순물의 농도가 상기 제1 불순물의 농도보다 높은 태양 전지
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제14항에 있어서,상기 제2 불순물이 알루미늄을 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서,상기 패시베이션 막이 알루미늄 산화물을 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 불순물이 보론을 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 패시베이션 막의 두께가 5~20nm인 태양 전지
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