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기판;상기 기판 상에 배치되는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층; 및상기 광 흡수층 및 상기 전면전극층 사이에 개재되고, 복수의 나노 로드들을 포함하는 나노 로드층을 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드층은 징크 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드층은 상기 나노 로드들 사이에 복수의 기공들을 포함하는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드층의 두께는 5㎚ 내지 10㎚인 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 전면전극층 사이에 개재되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 및 상기 전면전극층 사이에 개재되는 고저항 버퍼층을 포함하고,상기 나노 로드층은 상기 고저항 버퍼층 및 상기 전면전극층 사이에 개재되는 태양광 발전장치
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제 5 항에 있어서, 상기 고저항 버퍼층은 징크 옥사이드를 포함하고,상기 전면전극층은 도전형 불순물이 도핑된 징크 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치
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기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 복수의 나노 입자들을 배치시키는 단계;상기 나노 입자들로부터 복수의 나노 로드들을 성장시켜서, 나노 로드층을 형성하는 단계; 및상기 나노 로드층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 나노 입자들을 배치시키는 단계는상기 나노 입자들을 몰드에 배치시키는 단계; 및상기 몰드에 배치되는 나노 입자들을 상기 광 흡수층 상에 접촉시켜서 인쇄하는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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9
제 7 항에 있어서, 상기 나노 로드층을 형성하는 단계는상기 나노 로드들을 형성하기 위한 전구체를 포함하는 용액을 제공하는 단계; 및상기 나노 입자들이 배치된 기판을 상기 용액에 딥핑하는 단계; 및상기 나노 입자들로부터 상기 나노 로드들을 성장시키는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 전구체는 징크 화합물을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 나노 로드들을 성장시키는 단계에서,상기 용액의 온도는 80℃ 내지 99℃인 태양광 발전장치의 제조방법
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