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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 광전 변환부를 포함하고,상기 광전 변환부는 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층을 각각 포함하는 복수의 광전 변환층을 포함하고,상기 복수의 광전 변환층 중에서 상기 제1 전극과 접하는 광전 변환층을 제외한 나머지 광전 변환층 중에서 적어도 하나의 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 산소가 도핑된 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)을 함께 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극과 접하는 제1 광전 변환층과 상기 제1 광전 변환층 위에 배치되는 제2 광전 변환층을 포함하고,상기 제2 광전 변환층의 p형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 산소가 도핑된 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)을 함께 포함하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층의 p형 반도체층에서 상기 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)은 산소를 2at%(atom%) ~ 10at% 사이로 함유하고, 상기 제2 광전 변환층의 p형 반도체층에서 상기 미세 결정 실리콘(mc-Si) 물질은 산소를 1at% 이하로 함유하거나 함유하지 않는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층의 p형 반도체층은 상기 제1 광전 변환층의 n형 반도체층에 직접 접촉하는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층의 두께는 상기 제1 광전 변환층에 포함되는 n형 반도체층의 두께보다 두꺼운 박막 태양 전지
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제 5 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층의 두께는 50nm ~ 100nm 사이인 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층의 결정화도는 5% ~ 25% 사이에서 결정되는 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층의 밴드갭은 1
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층에 포함되는 p형 반도체층의 굴절률은 1
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제 2 항에 있어서,상기 제2 광전 변환층의 p형 반도체층은상기 제1 광전 변환층에 인접하는 제1 층과 상기 제2 광전 변환층의 i형 반도체층에 인접하는 제2 층을 포함하고,상기 제1 층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 비정질 실리콘(a-Si)을 함께 포함하고,상기 제2 층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)을 함께 포함하는 박막 태양 전지
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제 10 항에 있어서,상기 제1 층은 산소를 2at% 이하로 함유하거나 함유하지 않고,상기 제2 층은 산소를 2at%(atom%) ~ 10at% 사이로 함유하는 박막 태양 전지
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제 10 항에 있어서,상기 제1 층의 두께는 상기 제2 층의 두께보다 작은 박막 태양 전지
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제 10 항에 있어서,상기 제1 층의 두께는 5nm 이하인 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층에 포함되는 상기 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층 각각은 비정질 실리콘(a-Si)을 포함하고, 상기 제2 광전 변환층에 포함되는 상기 i형 반도체층 및 n형 반도체층 각각은 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 제1 전극과 접하는 제1 광전 변환층, 상기 제1 광전 변환층 위에 배치되는 제2 광전 변환층 및 상기 제2 광전 변환층 위에 배치되는 제3 광전 변환층을 포함하고,상기 제2 광전 변환층 및 상기 제3 광전 변환층 중 적어도 하나에 포함되는 p형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)을 함께 포함하는 박막 태양 전지
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제 15 항에 있어서,상기 미세 결정 실리콘(mc-Si)과 상기 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)을 함께 포함하는 p형 반도체층에서 상기 비정질 실리콘 산화물(a-Si:Ox)은 산소를 2at%(atom%) ~ 10at% 사이로 함유하고, 상기 미세 결정 실리콘(mc-Si) 물질은 산소를 1at% 이하로 함유하거나 함유하지 않는 박막 태양 전지
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