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지지기판;상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층;상기 이면전극층 상에 형성된 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 복수개로 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층; 및,상기 윈도우층 상에 형성된 불순물 도핑층을 포함하고,상기 불순물 도핑층은 Mo를 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 버퍼층과 윈도우층 사이에 형성되는 고저항 버퍼층;을 더 포함하는 태양전지
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제2항에 있어서,상기 고저항 버퍼층은 ZnO의 화학식으로 형성되는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 윈도우층은 100nm 내지 150nm의 두께로 형성되는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 불순물 도핑층은 120nm 내지 200nm의 두께로 형성되는 태양전지
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삭제
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제1항에 있어서,상기 불순물 도핑층의 에너지 밴드갭은 3
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제1항에 있어서,상기 윈도우층의 상면은 텍스처링의 구조로 형성되는 태양전지
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지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및,상기 윈도우층 상에 Zn, O 및 Mo를 포함하는 불순물 도핑층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
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삭제
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제9항에 있어서,상기 윈도우층은 100nm 내지 150nm의 두께로 형성되고, 상기 불순물 도핑층은 120nm 내지 200nm의 두께로 형성되는 태양전지의 제조방법
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