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후면전극;상기 후면전극 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,상기 전면전극층은투명한 금속 산화물;상기 금속 산화물에 도핑되는 제 1 도펀트; 및상기 금속 산화물에 도핑되는 제 2 도펀트를 포함하며,상기 2 도펀트의 농도는 상기 광 흡수층으로부터 멀어질수록 점점 작아지는 태양광 발전장치
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제 1 항에 있어서, 상기 투명한 금속 산화물은 징크 옥사이드인 태양광 발전장치
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도펀트 및 상기 제 2 도펀트는 서로 다른 Ⅲ족 원소인 태양광 발전장치
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도펀트는 붕소이고,상기 제 2 도펀트는 알루미늄, 갈륨 또는 인듐으로부터 선택되는 태양광 발전장치
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후면전극;상기 후면전극 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,상기 전면전극층은투명한 금속 산화물;상기 금속 산화물에 도핑되는 제 1 도펀트; 및상기 금속 산화물에 도핑되는 제 2 도펀트를 포함하며,상기 제 1 도펀트의 농도 및 상기 제 2 도펀트의 농도의 비는 1:1 내지 10:1인 태양광 발전장치
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기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전면전극층을 형성하는 단계에서,투명 산화물을 증착하기 위한 메인 소스, 제 1 도펀트 소스 및 제 2 도펀트 소스가 상기 광 흡수층 상에 공급되며,상기 제 2 도펀트 소스의 공급 속도는 시간이 지남에 따라서 점점 감소되는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 고저항 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 메인 소스, 상기 제 1 도펀트 소스 및 상기 제 2 도펀트 소스는 상기 고저항 버퍼층의 상면에 공급되는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 메인 소스는 디에틸 징크 또는 트리메틸 징크를 포함하고,상기 제 1 도펀트 소스는 다이보레인을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 도펀트 소스는 트리메틸갈륨, 트리메틸인듐, 트리에틸갈륨, 알루미늄 트리-이소프로폭사이드, 알루미늄 트리 세크 부톡사이드, 트리이소부틸-알루미늄 또는 트리에틸-알루미늄을 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
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기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전면전극층을 형성하는 단계에서,투명 산화물을 증착하기 위한 메인 소스, 제 1 도펀트 소스 및 제 2 도펀트 소스가 상기 광 흡수층 상에 공급되며,상기 제 1 도펀트의 농도 및 상기 제 2 도펀트의 농도의 비는 1:1 내지 10:1인 태양광 발전장치의 제조방법
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