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태양광 발전장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015067762
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 전하 집속층; 상기 전하 집속층 상에 배치되는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고, 상기 전하 집속층은 상기 후면전극을 노출시키는 복수의 집속홀들을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020120043856 (2012.04.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1349432-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2013-0120737 (2013.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오준재 대한민국 서울 중구
2 장대진 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0334677-85
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0658186-60
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1069505-60
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1069503-79
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0834621-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 전하 집속층;상기 전하 집속층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하고,상기 전하 집속층은 상기 후면전극층의 상면을 노출시키는 복수의 집속홀들을 포함하고,상기 광 흡수층은 상기 집속홀들을 통하여, 상기 후면전극층의 상면에 직접 접촉되는 태양광 발전장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 집속홀들의 직경은 1㎛ 내지 10㎛인 태양광 발전장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 집속층은 금속 산화물을 포함하는 태양광 발전장치
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전하 집속층은 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 전하 집속층의 두께는 10㎚ 내지 100㎚인 태양광 발전장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전하 집속층은상기 후면전극층 상에 배치되는 금속층; 및상기 금속층 상에 배치되는 산화물층을 포함하고,상기 산화물층은 상기 금속층에 포함된 금속의 산화물을 포함하는 태양광 발전장치
8 8
기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층에 전하 집속층을 형성하는 단계;상기 전하 집속층에 상기 후면전극층의 상면을 노출시키는 복수의 집속홀들을 형성하는 단계;상기 전하 집속층 상 및 상기 집속홀 내에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층은 상기 집속홀들을 통하여, 상기 후면전극층의 상면에 직접 접촉되는 태양광 발전장치의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 전하 집속층을 형성하는 단계는상기 후면전극층 상에 금속을 증착시키는 단계; 및상기 금속을 산화시키는 단계를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 전하 집속층은 알루미늄 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.