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유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015067846
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	고비용의 복잡한 공정 없이도 높은 광추출 효율을 얻을 수 있는 유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광다이오드 소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성되며, 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 형성되는 상변화 박막층 및 상기 상변화 박막층 상에 순차적으로 형성되는 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 포함한다.
Int. CL	H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC	H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자	1020120035503 (2012.04.05)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0113149 (2013.10.15) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.02.03)
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	유병곤	대한민국	충북 영동군
2	이정익	대한민국	경기 군포시 수리산로 **,
3	조두희	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2012-0273415-76
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0064539-16
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.08.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0785144-52
4	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.11.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1111027-13
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2016.10.14	수리 (Accepted)	1-1-2016-0998263-20
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2017.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2017-0114684-84
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.12.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2018.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0011733-45
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0051995-48
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.03.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0289305-99
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.03.22	수리 (Accepted)	1-1-2018-0289304-43
13	등록결정서 Decision to grant	2018.07.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0506736-80

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 상에 형성되며, 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 형성되는 상변화 박막층; 및상기 상변화 박막층 상에 순차적으로 형성되는 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 포함하고,상기 상변화 박막층의 상면 및 하면은 평평하고,상기 상변화 박막층은 결정질인 경우의 굴절율이 비결정질인 경우의 굴절율 보다 낮은 유기발광다이오드 소자
2	2 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 외부로부터 공급되는 열 또는 빛에 의해 가역적으로 상태 변화가 가능한유기발광다이오드 소자
3	3 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 온도 및 가열 속도(Heating rate)를 포함하는 열처리 조건에 따라 비결정질 또는 결정질 상태로 형성되는유기발광다이오드 소자
4	4 삭제
5	5 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 GeSbTe계, InSbTe계, Ag-InSbTe계, SeSbTe계 및 Ti2O5계 물질 중 적어도 하나로 형성되는유기발광다이오드 소자
6	6 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 비결정질 상태에서 결정질 상태로 변화할 경우 전기 저항이 1000배 이상 증가하는유기발광다이오드 소자
7	7 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 결정질 상태에서 1
8	8 제 1항에 있어서,상기 상변화 박막층은 100 내지 1000nm의 두께로 형성되는유기발광다이오드 소자
9	9 기판;상기 기판 상, 하부에 각각 형성되며, 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 형성되는 제 1 및 제 2 상변화 박막층; 및상기 제 1 상변화 박막층 상에 순차적으로 형성되는 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 포함하고,상기 제1 및 제2 상변화 박막층 각각의 상면 및 하면은 평평하고,상기 제1 및 제2 상변화 박막층 각각은 결정질인 경우의 굴절율이 비결정질인 경우의 굴절율 보다 낮은 유기발광다이오드 소자
10	10 제 9항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상변화 박막층은 외부로부터 공급되는 열 또는 빛에 의해 가역적으로 상태 변화가 가능한유기발광다이오드 소자
11	11 제 9항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상변화 박막층은 온도 및 가열 속도(Heating rate)를 포함하는 열처리 조건에 따라 비결정질 또는 결정질 상태로 형성되는유기발광다이오드 소자
12	12 삭제
13	13 제 9항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 상변화 박막층은 GeSbTe계, InSbTe계, Ag-InSbTe계, SeSbTe계 및 Ti2O5계 물질 중 적어도 하나로 형성되는유기발광다이오드 소자
14	14 기판 상에 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 비결정질 상태의 상변화 박막층을 형성하는 단계;상기 상변화 박막층 상에 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 및상기 상변화 박막층에 열 또는 빛을 가하여 비결정질 상태의 상기 상변화 박막층의 일부 또는 전부를 결정질 상태로 변화시키는 단계를 포함하고,상기 상변화 박막층의 상면 및 하면은 평평하고,상기 상변화 박막층은 결정질인 경우의 굴절율이 비결정질인 경우의 굴절율 보다 낮은 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
15	15 기판 상에 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 비결정질 상태의 제 1 상변화 박막층을 형성하는 단계;상기 제 1 상변화 박막층 상에 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 기판 하부에 상기 상변화 물질로 비결정질 상태의 제 2 상변화 박막층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 상변화 박막층에 열 또는 빛을 가하여 비결정질 상태의 상기 제 1 및 제 2 상변화 박막층의 일부 또는 전부를 결정질 상태로 변화시키는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 상변화 박막층 각각의 상면 및 하면은 평평하고,상기 제1 및 제2 상변화 박막층 각각은 결정질인 경우의 굴절율이 비결정질인 경우의 굴절율 보다 낮은 유기발광다이오드 소자의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08710496	US	미국	FAMILY
2	US20130264546	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013264546	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8710496	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.04.05	수리 (Accepted)	1-1-2012-0273415-76
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0064539-16
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.08.28	수리 (Accepted)	1-1-2013-0785144-52
4	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.11.18	수리 (Accepted)	1-1-2014-1111027-13
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2016.10.14	수리 (Accepted)	1-1-2016-0998263-20
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2017.02.03	수리 (Accepted)	1-1-2017-0114684-84
8	선행기술조사의뢰서	2017.12.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2018.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2018-0011733-45
10	의견제출통지서	2018.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0051995-48
11	[명세서등 보정]보정서	2018.03.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-0289305-99
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.03.22	수리 (Accepted)	1-1-2018-0289304-43
13	등록결정서	2018.07.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0506736-80


기술번호	KST2015067846
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
기술개요	고비용의 복잡한 공정 없이도 높은 광추출 효율을 얻을 수 있는 유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광다이오드 소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성되며, 비결정질에서 결정질로, 또는 그 반대로 변화가 가능한 상변화 물질로 형성되는 상변화 박막층 및 상기 상변화 박막층 상에 순차적으로 형성되는 애노드 전극층, 유기 발광층 및 캐소드 전극층을 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415120051
세부과제번호	11ZB1150
연구과제명	교감형 스마트 OLED 광원 핵심기술개발사업
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	산업기술연구회
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2011
연구기간	201101~201512
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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