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은(Ag) 또는 은을 포함한 금속합금을 포함하는 제1 성분;아연(Zn) 및 비스무트(Bi)를 포함하는 제2 성분; 유리 프릿; 및수지 결합제가 유기 매질에 분산되고, 상기 제2 성분은 총 조성물의 중량%를 기준하여 2 내지 5 중량%인 것을 특징으로 하고, 상기 유리 프릿이 납-함유인 경우에는 상기 아연 함유량이 상기 비스무트의 함유량보다 크고, 상기 유리 프릿이 납-무함유인 경우에는 상기 비스무트의 함유량이 상기 아연 함유량보다 큰 태양전지용 전극 페이스트
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제1항에 있어서,상기 유리 프릿이 납-함유인 경우, 총 조성물의 중량%를 기준하여 납 함유량은 2 중량% 이하이고, 아연의 함유량은 0
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제1항에 있어서,총 조성물의 중량%를 기준으로 상기 제1 성분은 80 내지 85 중량%, 상기 유리 프릿 2 내지 10 중량%, 상기 수지 결합제 1 내지 5 중량%, 상기 유기 매질 10 내지 30중량%인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1항에 있어서,상기 제2 성분은 규소(Si), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 망간(Mn), 인(P), 보론(B), 바륨(Ba), 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1항에 있어서,상기 제1 성분 또는 제2 성분의 상태는 고형의 분말 상태인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 도전형 반도체 기판의 전면에 형성된 제 1 도전형과 반대되는 도전형의 제 2 도전형 반도체층;상기 제 2 도전형 반도체층 상에 형성되는 반사방지막;상기 반사방지막을 관통하여 제 2 도전형 반도체층과 연결되는 전면전극;및상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하고,상기 제 2 도전형 반도체층의 깊이는 100nm 내지 500nm이며,상기 전면전극은,은(Ag)을 포함하는 제1 성분과 아연(Zn) 및 비스무트(Bi)을 포함하는 제2 성분 및 유리 프릿을 포함하고,상기 유리 프릿이 납-함유인 경우에는 상기 아연 함유량이 상기 비스무트의 함유량보다 크고, 상기 유리 프릿이 납-무함유인 경우에는 상기 비스무트의 함유량이 상기 아연 함유량보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 6항에 있어서,상기 유리 프릿이 납-함유인 경우, 전면전극은, 전면전극의 메탈 총 중량%를 기준하여, 납 함유량은 2 중량% 이하이고, 아연의 함유량은 0
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제 6항에 있어서,상기 전면전극은 총 중량%를 기준하여, 상기 제1 성분은 75 내지 95 중량%, 상기 제2 성분은 2
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제 6항에 있어서,상기 제2 성분은 규소(Si), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 망간(Mn), 인(P), 보론(B), 바륨(Ba), 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 6항에 있어서,상기 제 1 도전형은 p형이고, 상기 제 2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층의 면저항(Sheet Resistance)은 60 내지 120 Ω/square 인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 6항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층의 제 2 도전형 반도체 불순물의 농도는 1×1016 내지 1×1021 atom/cm3 인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층의 제 2 도전형 반도체 불순물의 농도는 표면에서 pn 접합계면으로 갈수록 1×1016 내지 1×1021 atom/cm3 의 범위에서 고농도에서 저농도로의 농도 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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14
제6항에 있어서,상기 제 2 도전형 반도체층과 반사방지막은 2개 층 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6항에 있어서,상기 후면전극은 아연(Zn)을 포함하지 않는 금속인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제15항에 있어서,상기 후면전극은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하는 금속인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제6항에 있어서,상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면에 절연층(dielectric layer)이 추가로 더 포함되고, 상기 후면전극이 상기 절연층을 관통하여 상기 제 1 도전형 반도체 기판의 후면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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18
제6항에 있어서,상기 제 1 도전형 반도체 기판 후면과 후면전극의 계면에는 후면전계층(Back Surface Field, BSF)이 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지
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