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선격자 편광자 및 이를 포함하는 광 배향막 형성용 장치

  • 기술번호 : KST2015067979
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 및 상기 기판 상에 형성되며, 굴절률이 1 내지 10인 흡수형 재료로 이루어진 편광 분리층 및 상기 기판의 다른 면 상에 형성되며, 250nm 미만의 파장을 갖는 광을 차단하는 필터층을 포함하는 선격자 편광자와 이를 포함하는 광 배향막 형성용 장치에 관한 것이다
Int. CL G02B 5/20 (2006.01) G02B 5/30 (2006.01)
CPC G02B 5/283(2013.01) G02B 5/283(2013.01) G02B 5/283(2013.01) G02B 5/283(2013.01)
출원번호/일자 1020120051946 (2012.05.16)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1617489-0000 (2016.04.26)
공개번호/일자 10-2013-0128127 (2013.11.26) 문서열기
공고번호/일자 (20160502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종병 대한민국 대전 중구
2 신부건 대한민국 대전 유성구
3 김태수 대한민국 대전 중구
4 김재진 대한민국 대전 유성구
5 박정호 대한민국 대전 유성구
6 정진미 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0391410-83
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-1003725-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1093316-45
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0066959-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0883323-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0165845-43
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0434717-97
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.07.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0742338-30
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0742492-53
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0606132-22
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-1069306-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0229146-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되며, 굴절률이 1내지 10인 흡수형 재료로 이루어진 편광 분리층; 및상기 기판의 다른 면 상에 형성되며, 250nm 미만의 파장을 갖는 광을 차단하고, 250nm 내지 350nm 파장의 광만을 통과시키는 대역 통과 필터(BAND PASS FILTER)로 이루어진 필터층을 포함하는 선격자 편광자
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판은, 자외선 영역에서 투과율이 70% 이상인 선격자 편광자
3 3
제1항에 있어서,상기 흡수형 재료는, 250nm 내지 310nm의 파장영역에서의 흡광계수가 1 내지 10인 선격자 편광자
4 4
제1항에 있어서,상기 흡수형 재료는, Si 인 선격자 편광자
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 필터층은, 심 자외선(DEEP ULTRAVIOLET) 차단 필터인 선격자 편광자
7 7
제 1항에 있어서,200nm 내지 400nm의 광 파장 대역에서의 소광비가 2 내지 2000인 선격자 편광자
8 8
제 1항 내지 제 4항, 제 6항 및 제 7항 항 중 어느 한 항의 선격자 편광자를 포함하는 광 배향막 형성용 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 장치는 250nm 내지 350nm의 파장의 광을 사용하는 광 배향막 형성용 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.