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발광 소자 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015067985
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요약 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 제 1면에서 내측으로 함몰된 제 2면을 가지는 장착부를 포함하고, 전도성 반도체로 이루어지는 캐리어; 상기 캐리어의 제 2면의 내측에 위치하는 제 1결합금속층; 상기 제 1결합금속층 상에 위치하고, 제 1전극을 포함하는 금속 구조; 상기 금속 구조 상에 위치하는 발광 소자 구현을 위한 반도체 구조; 상기 제 1면 상에 위치하는 패시베이션층; 및 상기 반도체 구조와 접촉되며 상기 패시베이션 층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 33/48 (2010.01) H01L 33/62 (2010.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020120045266 (2012.04.30)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1414647-0000 (2014.06.26)
공개번호/일자 10-2013-0122158 (2013.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이민우 대한민국 서울 서초구
2 강민구 대한민국 서울 서초구
3 성준호 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343821-75
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737384-09
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0737381-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051440-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0562860-52
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0798745-86
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0798744-30
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0838683-17
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0084898-95
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084900-00
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0233422-85
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0410644-19
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0410643-74
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0328636-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1면에서 내측으로 함몰된 제 2면을 가지는 장착부를 포함하고, 전도성 반도체로 이루어지는 캐리어;상기 캐리어의 제 2면의 내측에 위치하는 제 1결합금속층;상기 제 1결합금속층 상에 위치하고, 제 1전극을 포함하는 금속 구조;상기 금속 구조 상에 위치하는 발광 소자 구현을 위한 반도체 구조;상기 제 1면 상에 위치하는 패시베이션층; 및상기 반도체 구조와 접촉되며 상기 패시베이션 층 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 구조는, 상기 제 1결합금속층 상에 위치하는 제 2결합금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
3 3
삭제
4 4
제 2항에 있어서, 상기 제 2결합금속층과 제 1전극 사이에는 확산방지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은, 상기 반도체 구조 상에서 상기 패시베이션 층 상까지 연장 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 장착부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 장착부에 위치하는 충진재 또는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
8 8
제 7항에 있어서, 상기 충진재 또는 렌즈에는 형광체가 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
9 9
삭제
10 10
제 1항에 있어서, 상기 캐리어는, 실리콘(Si) 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
11 11
제 1기판 상에 반도체 구조를 형성하는 단계;상기 반도체 구조 상에 제 1전극을 포함하는 금속 구조를 형성하는 단계;상기 제 1기판에 제 1정렬 구조를 형성하는 단계;전도성 반도체를 포함하는 제 2기판 상에 제 1결합금속층을 형성하고, 상기 제 1결합금속층이 상기 금속 구조와 정렬되도록 상기 제 1정렬 구조와 결합되는 제 2정렬 구조를 형성하는 단계;상기 제 2기판 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 제 1정렬 구조와 제 2정렬 구조가 결합되고, 상기 제 1결합금속층이 금속 구조와 접합되도록 제 1기판과 제 2기판을 결합하는 단계;상기 제 1기판을 제거하는 단계; 및상기 반도체 구조 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 금속 구조는,상기 반도체 구조와 접촉하는 상기 제 1전극; 및상기 제 1전극 상에 위치하고 상기 제 1결합금속층과 접합되는 제 2결합금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
13 13
제 11항에 있어서, 상기 제 1정렬 구조 및 제 2정렬 구조는 서로 맞물리는 요철 구조인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
14 14
제 11항에 있어서, 상기 제 2기판은, 실리콘(Si) 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
15 15
제 11항에 있어서, 상기 반도체 구조 상에 충진재 또는 렌즈를 위치시키는 단계; 및상기 제 2기판을 절단하여 개개의 소자로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.