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질화물 반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015068021
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요약 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 플립칩 구조를 가지는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 지지층; 상기 지지층 상에 위치하며, 상기 지지층을 향한 제 1측과, 상기 제 1측과 반대방향인 제 2측을 가지고, 상기 제 2측은 높이가 서로 다른 제 1면 및 제 2면을 가지는 결합 금속층; 상기 제 1면 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 2면 상에 위치하는 제 2전극; 질화물계 반도체를 포함하고, 상기 제 1전극과 전기적으로 연결되는 제 1반도체층, 상기 제 2전극과 전기적으로 연결되는 제 2반도체층, 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 반도체 구조; 및 상기 결합 금속층의 제 2면과 상기 제 2전극 사이에 위치하는 패시베이션 층을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020120050839 (2012.05.14)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1414651-0000 (2014.06.26)
공개번호/일자 10-2013-0127138 (2013.11.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이은아 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0382743-60
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0737394-55
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737396-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051727-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0566708-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0855530-48
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0855531-94
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0838685-19
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084911-02
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0084909-10
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0233424-76
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0410647-56
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0410648-02
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0328638-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지층;상기 지지층 상에 위치하며, 상기 지지층을 향한 제 1측과, 상기 제 1측과 반대방향인 제 2측을 가지고, 상기 제 2측은 높이가 서로 다른 제 1면 및 제 2면을 가지는 결합 금속층;상기 제 1면 상에 위치하는 제 1전극;상기 제 2면 상에 위치하고, 상면이 상기 결합 금속층을 향하도록 구비되는 제 2전극; 질화물계 반도체를 포함하고, 상기 제 1전극과 전기적으로 연결되는 제 1반도체층, 상기 제 2전극과 전기적으로 연결되는 제 2반도체층, 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하는 활성층을 포함하며, 상기 결합 금속층보다 수평 폭이 넓은 반도체 구조; 및상기 결합 금속층의 제 2면과 상기 제 2전극 사이에 위치하는 패시베이션 층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1면과 제 2면은 서로 경사면으로 연결된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1면으로부터 지지층까지의 거리는 상기 제 2면으로부터 지지층까지의 거리보다 먼 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
4 4
삭제
5 5
제 2항에 있어서, 상기 패시베이션 층은 상기 제 1전극까지 연장된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 패시베이션 층은, 고반사층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
7 7
제 5항에 있어서, 상기 패시베이션 층은, 서로 굴절률이 다른 두 층이 교대로 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 발광 소자는 회로 기판 상에 플립칩 본딩 되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제 1전극은 반사층으로 작용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
10 10
제 1항에 있어서, 상기 결합 금속층은, 상기 지지층과 접하는 솔더층; 및상기 솔더층 상에 위치하는 확산 방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
11 11
제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조의 활성층은, 상기 제 1면과 제 2면 사이의 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
12 12
제 1항에 있어서, 상기 반도체 구조는 광 추출 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
13 13
제 1항에 있어서, 상기 지지층은, 반도체 기판; 및상기 반도체 기판 상에 위치하며, 상기 결합 금속층과 접촉하는 접촉층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.