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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 제1 도전형을 가지는 제1 불순물 및 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형을 가지는 제1 카운트 불순물을 도핑하여 제1 불순물층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 제1 불순물층을 활성화하는 열처리 단계 를 포함하고, 상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서 상기 제1 카운트 불순물의 도핑량이 상기 제1 불순물의 도핑량보다 작고, 상기 열처리 단계는 산소 분위기에서 수행되는 산소 열처리 공정을 포함하고, 상기 산소 열처리 공정에서는 상기 제1 불순물층의 위에 제1 패시베이션 막이 형성되면서 상기 제1 불순물층과 상기 제1 패시베이션 막 사이에 상기 제2 도전형 또는 진성의 플로팅 접합(floating junction)층이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 패시베이션 막은 상기 반도체 기판을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성되고, 상기 제1 카운트 불순물 및 상기 제1 불순물을 포함하는 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 플로팅 접합층에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도와 상기 제1 불순물의 농도가 같거나 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 낮고, 상기 제1 패시베이션 막에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 높은 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 상기 제2 도전형을 가지고, 상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제2 도전형이 n형이며, 상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 불순물의 도핑량에 대한 상기 제1 카운트 불순물의 도핑량의 비율이 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 불순물층을 형성하는 단계에서, 상기 제1 불순물 및 상기 제1 카운트 불순물은 이온 주입법에 의하여 도핑되고, 상기 제1 불순물의 주입 에너지보다 상기 카운트 불순물의 주입 에너지가 더 작은 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 플로팅 접합층의 두께가 1~100nm인 태양 전지의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 플로팅 접합층의 두께가 3~20nm인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물층의 두께에 대한 상기 플로팅 접합층의 두께 비율이 0
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제1항에 있어서,상기 열처리 단계는, 불활성 기체 분위기에서 수행되는 불활성 열처리 공정을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 불활성 열처리 공정 이후에 상기 산소 열처리 공정이 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 불활성 열처리 공정 시간보다 상기 산소 열처리 공정 시간이 더 긴 태양 전지의 제조 방법
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반도체 기판; 상기 반도체 기판의 적어도 일면에 형성되며 제1 도전형을 가지는 제1 불순물층; 상기 제1 불순물층 상에 상기 제1 불순물층보다 얇은 두께로 형성되며, 진성 또는 상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형을 가지는 플로팅 접합층; 상기 플로팅 접합층 상에 형성되는 제1 패시베이션 막; 및상기 제1 불순물층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 을 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막은 상기 반도체 기판을 구성하는 원소를 구비하는 산화물로 구성되며, 상기 제1 불순물층, 상기 플로팅 접합층, 상기 제1 패시베이션 막은, 상기 제1 도전형의 제1 불순물 및 상기 제2 도전형의 제1 카운트 불순물을 포함하는 태양 전지
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제13항에 있어서, 상기 플로팅 접합층에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도와 상기 제1 불순물의 농도가 같거나 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 낮고, 상기 제1 패시베이션 막에서는 상기 제1 카운트 불순물의 농도보다 상기 제1 불순물의 농도가 높은 태양 전지
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제13항에 있어서, 상기 반도체 기판이 상기 제2 도전형을 가지고, 상기 제1 도전형이 p형이고, 상기 제2 도전형이 n형이며, 상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지
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제13항에 있어서,상기 플로팅 접합층의 두께가 1~100nm인 태양 전지
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제16항에 있어서,상기 플로팅 접합층의 두께가 3~20nm인 태양 전지
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제13항에 있어서,상기 제1 불순물층의 두께에 대한 상기 플로팅 접합층의 두께 비율이 0
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제13항에 있어서,상기 제1 패시베이션 막의 두께가 10~30nm인 태양 전지
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제19항에 있어서,상기 플로팅 접합층이 상기 제1 불순물층 및 상기 제1 패시베이션 막에 접촉 형성되는 태양 전지
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