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기판의 상부에, 그 일부가 메사식각된 N-GaN층;상기 N-GaN층의 상부의 활성층;상기 활성층 상부의 P-GaN층;상기 P-GaN층 상부의 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층; 상기 InXAlYGaZN층 상부의 오믹컨택층; 상기 오믹컨택층 상부의 반사층; 및상기 N-GaN층의 식각된 상부의 N-전극과 상기 오믹컨택층 상부의 P-전극을 포함하고, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층과 맞닿는 계면으로부터 Al 조성이 계단식으로 감소하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 N-GaN층 사이에 도핑되지 않은 U-GaN층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 반사층은, 금속과, 산화물 또는 질화물을 포함하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서, 상기 산화물 또는 질화물은, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 티타늄으로 이루어지는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드
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제3항에 있어서, 상기 반사층은, 상기 금속과, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 티타늄으로 이루어지는 산화물 또는 질화물의 그룹 중 적어도 어느 하나가 반복하여 적층된 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판은, 사파이어, 실리콘, 산화아연 또는 질화물 반도체기판 중 어느 하나로 이루어지거나, 상기 기판에 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트 기판인 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층보다 밴드갭이 작은 발광 다이오드
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기판의 상부에, 그 일부가 메사식각된 N-GaN층;상기 N-GaN층의 상부의 활성층;상기 활성층 상부의 P-GaN층;상기 P-GaN층 상부의 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층; 상기 InXAlYGaZN층 상부의 오믹컨택층; 상기 오믹컨택층 상부의 반사층; 및상기 N-GaN층의 식각된 상부의 N-전극과 상기 오믹컨택층 상부의 P-전극을 포함하고, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층과 상기 P-GaN층 사이에 N+-GaN층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, InXAlYGaZN과 N+-GaN의 초격자층인 발광 다이오드
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제16항에 있어서, 상기 초격자층은, 주기가 5nm보다 작은 단주기 초격자층인 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, N 도핑된 발광 다이오드
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기판의 상부에, 그 일부가 메사식각된 N-GaN층;상기 N-GaN층의 상부의 활성층;상기 활성층 상부의 P-GaN층;상기 P-GaN층 상부의 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층; 상기 InXAlYGaZN층 상부의 오믹컨택층; 상기 오믹컨택층 상부의 반사층; 및상기 N-GaN층의 식각된 상부의 N-전극과 상기 오믹컨택층 상부의 P-전극을 포함하고, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 도핑된 InXAlYGaZN층과 도핑되지 않은 InXAlYGaZN층이 교호로 적층되도록 N 델타 도핑된 발광 다이오드
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제1항 내지 제6항, 제15항 및 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 N-전극은, 십자 형상인 발광 다이오드
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제15항 또는 제19항에 있어서,상기 기판과 상기 N-GaN층 사이에 도핑되지 않은 U-GaN층을 더 포함하는 발광 다이오드
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제15항 또는 제19항에 있어서, 상기 반사층은, 금속과, 산화물 또는 질화물을 포함하는 발광 다이오드
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제22항에 있어서, 상기 산화물 또는 질화물은, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 티타늄으로 이루어지는 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드
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제22항에 있어서, 상기 반사층은, 상기 금속과, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 티타늄으로 이루어지는 산화물 또는 질화물의 그룹 중 적어도 어느 하나가 반복하여 적층된 발광 다이오드
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제15항 또는 제19항에 있어서, 상기 기판은, 사파이어, 실리콘, 산화아연 또는 질화물 반도체기판 중 어느 하나로 이루어지거나, 상기 기판에 GaN, InGaN, AlGaN, AlInGaN 중 적어도 어느 하나가 적층된 템플레이트 기판인 발광 다이오드
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제15항 또는 제19항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, 상기 P-GaN층보다 밴드갭이 작은 발광 다이오드
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제19항에 있어서, 상기 InXAlYGaZN(0003c#x≤1, 0≤y≤1, 0≤z003c#1)층은, N 도핑된 발광 다이오드
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