| 1 |
1
제1 도전형의 반도체 기판;상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형을 가지는 에미터층; 및상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 반도체 기판에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 전극을 포함하고, 상기 에미터층은, 상기 제1 전극에 인접하여 형성되는 고농도 도핑부와, 상기 고농도 도핑부 이외의 부분에 형성되며 상기 고농도 도핑부보다 큰 저항을 가지는 저농도 도핑부를 포함하며, 상기 고농도 도핑부는, 제1 저항을 가지는 제1 영역과, 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항을 가지는 제2 영역을 포함하는 태양 전지
|
| 2 |
2
제1 도전형의 반도체 기판;상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 제1 도전형에 반대되는 제2 도전형을 가지는 에미터층; 상기 반도체 기판의 다른 일면에 형성되며, 상기 제1 도전형의 후면 전계층; 및상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 전극을 포함하고, 상기 에미터층 및 상기 후면 전계층 중 적어도 어느 하나는, 이에 연결되는 상기 제1 또는 제2 전극에 인접하여 형성되는 고농도 도핑부와, 상기 고농도 도핑부 이외의 부분에 형성되며 상기 고농도 도핑부보다 큰 저항을 가지는 저농도 도핑부를 포함하며, 상기 고농도 도핑부는, 제1 저항을 가지는 제1 영역과, 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항을 가지는 제2 영역을 포함하는 태양 전지
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역의 외곽부에 형성되는 태양 전지
|
| 4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고농도 도핑부가 인접하여 형성되는 상기 제1 또는 제2 전극 중 적어도 일부가 상기 제1 영역에 접촉하는 태양 전지
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 영역의 저항이 30~70 옴/□(ohm/square)이고,상기 제2 영역의 저항이 80~90 옴/□인 태양 전지
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 저농도 도핑부의 저항이 100~120 옴/□인 태양 전지
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 영역보다 상기 제1 영역의 도핑 깊이가 더 큰 태양 전지
|
| 8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 영역의 폭에 대한 상기 제2 영역의 폭의 비율이 0
|
| 9 |
9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 영역의 폭에 대하여 상기 고농도 도핑부가 인접하여 형성되는 상기 제1 또는 제2 전극의 폭이 0
|
| 10 |
10
반도체 기판을 준비하는 단계; 및상기 반도체 기판에 불순물층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 불순물층을 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판에 열 확산법에 의하여 불순물을 도핑하여 저농도 도핑부를 형성하는 단계; 및상기 열 확산법에 의하여 상기 저농도 도핑부를 형성할 때 상기 저농도 도핑부 위에 형성된 유리 조성물층에 선택적으로 열을 가하여 상기 저농도 도핑부보다 낮은 저항을 가지는 고농도 도핑부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고농도 도핑부를 형성하는 단계에서는, 제1 저항을 가지는 제1 영역과, 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항을 가지는 제2 영역을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 고농도 도핑부를 형성하는 단계에서는, 상기 유리 조성물층에 레이저를 조사하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 고농도 도핑부를 형성하는 단계에서는, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역에 조사하는 상기 레이저의 파워(power)를 서로 다르게 하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 고농도 도핑부를 형성하는 단계는, 상기 제1 영역을 형성한 후에 상기 제1 영역의 외곽부에 상기 제2 영역을 형성하거나, 상기 제2 영역을 형성한 후에 상기 제1 영역을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 14 |
14
제11항에 있어서, 상기 제2 영역이 상기 제1 영역의 양쪽에 각기 위치하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 15 |
15
제10항에 있어서,상기 고농도 도핑부를 형성하는 단계 이후에 상기 유리 조성물층을 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 유리 조성물층은 인 실리케이트 유리(PSG) 또는 보론 실리케이트 유리(BSG)를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 유리 조성물층을 제거하는 단계 이후에, 상기 불순물층 위에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 위에 전극 조성물을 도포하고 열처리하여 파이어스루(fire-through)에 의하여 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 전극의 적어도 일부가 상기 제1 영역에 접촉하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 18 |
18
제10항에 있어서,상기 불순물층이 상기 반도체 기판과 반대되는 도전형을 가지는 에미터층을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
| 19 |
19
제10항에 있어서,상기 불순물층이 상기 반도체 기판과 동일한 도전형을 가지는 후면 전계층을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
