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내지문성과 지문 은닉성을 갖는 폴리디알킬실록산 코팅막 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068098
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1 내지 10 ㎛의 선폭 및 1 내지 30 ㎛의 높이를 갖는 요철을 2이상 포함하는 불규칙패턴이 표면에 형성되고, 상기 불규칙패턴의 선폭 및 선간격의 비율이 1:50이하이거나 상기 불규칙 패턴에 의하여 정의되는 폐곡선의 면적 평균에 대한 편차의 비율이 2% 이상인 폴리디알킬실록산 코팅막 및 이러한 폴리디알킬실록산 코팅막의 제조 방법 에 관한 것이다.
Int. CL C09D 183/02 (2006.01) C09D 5/00 (2006.01) C09D 5/28 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC C09D 183/04(2013.01) C09D 183/04(2013.01) C09D 183/04(2013.01) C09D 183/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120049344 (2012.05.09)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1492570-0000 (2015.02.05)
공개번호/일자 10-2013-0125654 (2013.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20150212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이순열 대한민국 대전 유성구
2 최현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0371957-76
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0708920-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0029980-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378511-51
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0724649-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0813671-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0813672-84
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0887904-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1 내지 10 ㎛의 선폭 및 1 내지 30 ㎛의 높이를 갖는 불규칙패턴이 2 이상 표면에 형성되고, 상기 불규칙패턴의 선폭 및 선간격의 비율이 1:50이하이고, 각각의 불규칙 패턴들은 교차점 없이 하나의 방향으로 배열된 형태이며, 상기 불규칙패턴에서, 이웃하는 다른 불규칙 패턴 상에 존재하고 하나의 직선상에 위치하는 점들간의 최단 거리의 평균에 대한 편차의 비율이 10%이상이고, 상기 불규칙 패턴의 산란도의 표준편차가 15 이하인, 폴리디알킬실록산 코팅막
2 2
1 내지 10 ㎛의 선폭 및 1 내지 30 ㎛의 높이를 갖는 불규칙패턴이 폐곡선을 이루며 표면에 형성되고,상기 불규칙패턴의 선폭 및 선간격의 비율이 1:50 이하이고,상기 불규칙 패턴에 의하여 정의되는 폐곡선의 면적 평균에 대한 편차의 비율이 10% 이상이고, 상기 불규칙패턴에서, 이웃하는 서로 다른 불규칙 패턴 상에 존재하고 하나의 직선상에 위치하는 점들간의 최단 거리의 평균에 대한 편차의 비율이 10%이상이고,상기 불규칙 패턴의 산란도의 표준편차가 10 이하인 폴리디알킬실록산 코팅막
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 불규칙패턴의 선폭 및 선간격의 비율이 1:5 내지 1:30인 폴리디알킬실록산 코팅막
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 불규칙패턴의 횡단면적의 합은 코팅막 전체 횡단면적의 0
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 불규칙패턴의 높이는 선폭 대비 1 내지 3배인 폴리디알킬실록산 코팅막
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 폴리디알킬실록산은 폴리디메틸실록산 및 폴리디에틸실록산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 폴리디알킬실록산 코팅막
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 코팅막은 폴리디알킬실록산의 함량이 10 중량% 이상인 폴리디알킬실록산 코팅막
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 코팅막은 전자제품의 표시장치 표면, 전자제품의 외장재, 또는 건축용 내장재 표면에 적용되는 폴리디알킬실록산 코팅막
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.