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질소원소를 함유한 헤테로고리 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015068153
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 대한 것으로서, 특히 유기 태양 전지의 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체에 관한 것이다.
Int. CL C07D 471/04 (2006.01) C07D 409/04 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0062(2013.01) H01L 51/0062(2013.01) H01L 51/0062(2013.01) H01L 51/0062(2013.01) H01L 51/0062(2013.01)
출원번호/일자 1020120057811 (2012.05.30)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1561730-0000 (2015.10.13)
공개번호/일자 10-2013-0090726 (2013.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20151022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120012029   |   2012.02.06
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.19)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배재순 대한민국 대전 서구
2 이재철 대한민국 대전 유성구
3 최정민 대한민국 대전광역시 유성구
4 이행근 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0434893-53
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1166476-21
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0009835-25
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0235606-60
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0548608-67
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0548606-76
9 등록결정서
Decision to grant
2015.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0674241-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되거나, 하기 화학식 1의 구조를 2 개 포함하는 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체: [화학식 1]상기 화학식 1 에 있어서,Ar1은 시아노기(-CN)이고,X1은 CR1이고, X2는 CR2이고, X3은 CR3이고, X4는 CR4이며,A1은 CR5이고, A2는 CR6이고, A3는 CR7이고, A4는 CR8이고, R1 내지 R9는 각각 독립적으로 -(L)p-(Y)q이고, 여기서 p는 0 내지 10의 정수이고, q는 1 내지 10의 정수이며, L은 할로겐기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 아릴아민기; 트리아릴아민기; 트리아릴포스핀기; 트리아릴포스핀옥사이드기; 알케닐렌기; 알키닐렌기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸릴렌기; 방향족 또는 지방족 고리의 시클릭 케톤기; 방향족 고리기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족의 헤테로고리기; 또는 상기 방향족 고리와 지방족 헤테로고리 또는 방향족 헤테로고리의 축합고리기이고,Y는 수소; 아릴아민기; 헤테로아릴아민기; 트리아릴아민기; 트리아릴포스핀기; 트리아릴포스핀옥사이드기; 니트릴기, 알케닐기, 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조카바졸기; 방향족 또는 지방족 고리의 시클릭 케톤기; 방향족 또는 지방족 고리의 이미드기; 방향족 고리기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족의 헤테로고리기; 또는 상기 방향족 고리와 지방족 헤테로고리 또는 방향족 헤테로고리의 축합고리기이며,상기 화학식 1의 구조를 2개 포함하는 경우, 상기 2개의 화학식 1의 구조는 상기 화학식 1의 R2를 통하여 서로 결합하고,R1 내지 R4 중 적어도 하나는 수소가 아닌 치환기를 가진다
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 구조를 2 개 포함하는 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체는 하기 화학식 2로 표시되는 것인 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체:[화학식 2]상기 화학식 2에서 Ar1, X1, X2, X3, X4, A1, A2, A3, A4 및 R9는 청구항 1에서의 정의와 같고,Z는 알킬기, 아릴기 또는 알킬기로 치환된 아릴기로 치환 또는 비치환된 안트라센기; 터페닐기; 알킬기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 나프틸기; 디벤조테트라펜다이오엔기; 비페닐기; 페릴렌기; 페닐기; 펜타세닐기; 알킬기로 치환된 아릴기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 벤조티아다이아졸기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 피라진기; 피리딘기; 티오펜기; 및 알킬기로 치환된 아릴기로 치환 또는 비치환된 벤조디티오펜으로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 Z는 X2와 연결되고,n은 2이다
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6 6
청구항 1에 있어서, 상기 p는 0 내지 3의 정수이고, q는 1 내지 3의 정수인 것인 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 표 1에 기재된 화학식 중에서 선택되는 것인 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체:[표 1]
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 표 2에 기재된 화학식에서 선택되는 것인 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체:[표 2]
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 표 3에 기재된 화학식에서 선택되는 것인 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체:[표 3]
14 14
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1, 2, 6 및 11 내지 13 중 어느 한 항에 따른 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 태양 전지, 유기 발광 소자, 유기 감광체 또는 유기트랜지스터인 것인 유기 전자 소자
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 유기 태양 전지는,제1 전극; 제1 전극과 대항하는 제2 전극; 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고, 상기 질소원소를 함유한 헤테로고리 유도체를 함유하는 유기활성층을 포함하는 유기 전자 소자
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청구항 16에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 바이레이어 p-n 접합형인 유기 전자 소자
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청구항 16에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 BHJ(벌크헤테로정션) 접합형인 유기 전자 소자
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청구항 16에 있어서, 상기 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체는 전자 받개 물질이고, 상기 유기 활성층은 전자 주개 물질을 더 함유하는 것인 유기 전자 소자
20 20
청구항 16에 있어서, 상기 질소원소 함유한 헤테로고리 유도체는 LUMO 에너지 레벨이 -3~-5eV인 것인 유기 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.