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기판;상기 기판에 위치하고, 고농도 도핑부와 저농도 도핑부를 포함하는 선택적 에미터부;상기 선택적 에미터부 위에 위치하며, 서로 이격된 복수의 제1 개구부 및 상기 제1 개구부의 주변에 위치하는 복수의 제2 개구부를 포함하는 제1 유전층;상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 상기 선택적 에미터부와 연결되는 제1 핑거 전극을 복수 개 구비하는 제1 전극; 및상기 기판에 위치하며, 상기 기판에 연결되는 제2 전극을 포함하며,상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부는 서로 다른 평면 형상으로 형성되는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 개구부의 평면 형상은 라인 형상으로 형성되고, 상기 제2 개구부의 평면 형상은 도트 형상으로 형성되는 태양전지
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3
제2항에서,상기 제2 개구부는 상기 제1 개구부의 양쪽 측면에 각각 위치하는 태양전지
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제3항에서,상기 제1 개구부의 선폭은 8㎛ 내지 12㎛이며, 상기 제1 개구부의 양쪽 측면에 각각 위치하는 제2 개구부 사이의 최대 간격은 10㎛ 내지 25㎛인 태양전지
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제1항에서,상기 선택적 에미터부의 상기 고농도 도핑부는 상기 제1 개구부와 동일한 평면 형상으로 형성되는 태양전지
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6
제1항에서,상기 제1 개구부와 상기 제2 개구부 사이에 상기 제1 유전층이 위치하는 태양전지
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7
제1항에서,상기 제1 전극은 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 선택적 에미터부의 표면에 위치하는 시드층, 및 상기 시드층 위에 위치하는 도전성 금속층을 포함하는 태양전지
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8
제7항에서,상기 시드층은 니켈을 포함하며, 상기 도전성 금속층은 구리(Cu) 및 주석(Sn)을 포함하거나, 은(Ag)을 포함하는 태양전지
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9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전극은 상기 기판의 제1 면에 위치하며 상기 제1 핑거 전극과 교차하는 방향으로 형성된 복수의 제1 버스바 전극을 더 포함하는 태양전지
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10
제9항에서,상기 제1 유전층은 적어도 하나의 제3 개구부 및 상기 제3 개구부의 주변에 위치하는 복수의 제4 개구부를 더 포함하고, 상기 제1 버스바 전극은 상기 제3 개구부 및 상기 제4 개구부를 통해 상기 선택적 에미터부와 연결되는 태양전지
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제10항에서,1개의 제1 버스바 전극 하부에는 1개의 제3 개구부가 위치하는 태양전지
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제10항에서,1개의 제1 버스바 전극 하부에는 적어도 2개의 제3 개구부가 위치하는 태양전지
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제10항에서,상기 기판의 상기 제1 면에 있어서, 상기 제1 개구부 및 상기 제3 개구부가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역은 텍스처링 표면으로 형성되는 태양전지
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제13항에서,상기 제1 개구부 및 상기 제3 개구부가 형성된 영역의 상기 제1 면은 실질적으로 평탄한 표면으로 형성되는 태양전지
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제13항에서,상기 제3 개구부와 상기 제4 개구부 사이에 상기 제1 유전층이 위치하는 태양전지
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제9항에서,상기 제2 전극은 상기 기판의 제1 면의 반대쪽인 제2 면에서 상기 복수의 제1 버스바 전극과 대응하는 위치에 위치하는 복수의 제2 버스바 전극과, 상기 제2 버스바 전극 사이에서 상기 기판의 제2 면에 위치하는 평면(plane) 전극을 포함하며, 상기 면 전극은 상기 제2 버스바 전극 사이의 상기 제2 면 전체를 덮는 태양전지
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제9항에서,상기 제2 전극은 상기 기판의 제1 면의 반대쪽인 제2 면에서 상기 복수의 제1 버스바 전극과 대응하는 위치에 위치하는 복수의 제2 버스바 전극과, 상기 제2 면에 위치하며 상기 제2 버스바 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제2 핑거 전극을 포함하는 태양전지
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제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물부를 형성하는 단계;상기 불순물부 위에 유전층을 형성하는 단계;상기 제2 도전성 타입을 갖는 불순물막을 상기 유전층 위에 형성하는 단계;상기 불순물막에 레이저 빔을 조사하여, 서로 이격된 복수의 제1 개구부 및 각각의 제1 개구부의 주변에 위치하는 복수의 제2 개구부를 상기 유전층에 형성하고, 상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부에 상기 불순물막의 불순물을 주입하여 상기 불순물부를 선택적 에미터부로 형성하는 단계;상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 드러난 상기 선택적 에미터부에 도금법을 이용하여 시드층 및 도전성 금속층을 형성함으로써, 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 통해 상기 선택적 에미터부와 연결되는 제1 핑거 전극을 복수 개 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제18항에서,상기 불순물부를 형성하기 전에 상기 기판의 제1 면을 텍스처링 표면으로 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제19항에서,상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 형성할 때, 가우스 분포(Gaussian distribution)를 갖는 레이저 빔을 사용하는 태양전지의 제조 방법
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