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기판;상기 기판 상에 형성되는 제 1 GaN층;상기 제 1 GaN층 상에 형성되는 AlGaN층;상기 AlGaN층 상에 형성되는 제 2 GaN층;상기 제 2 GaN층 또는 상기 AlGaN층까지 리세스된 영역 상에 형성되는 게이트 전극; 상기 제 2 GaN층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 제 2 GaN층 상에 형성되는 제 1 산화막층을 포함하되,상기 제 1 산화막층은,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 상기 리세스된 영역 사이에 형성되는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 산화막층은,SixNy로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은,상기 제 1 산화막층의 일측 상부와 접촉하는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 리세스된 영역 상에 형성되는 제 2 산화막층을 더 포함하되,상기 게이트 전극은,상기 제 2 산화막층 상에 형성되는 것인 반도체 소자
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제4항에 있어서, 상기 제 2 산화막층은,SiO2, Si3N4, HfO2, Al2O3, ZnO 및 Ga2O3 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 산화막층은,상기 제 2 GaN층의 형성 후 인-시츄(in-situ)로 형성되는 것인 반도체 소자
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제1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 제 1 산화막층의 두께는,1nm ~ 500nm이고,상기 제 2 산화막층의 두께는,2nm ~ 200nm인 것인 반도체 소자
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제1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 제 1 산화막층 또는 상기 제 2 산화막층은,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 리세스된 영역의 깊이는,1nm ~ 1000nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 리세스된 영역은,트렌치(trench) 형태, 브이-그루브(V-groove) 형태 및 반원 형태 중 적어도 하나의 형태를 구비하는 것인 반도체 소자
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11
제1항에 있어서, 상기 기판은,절연성 기판, 사파이어(Sapphire) 기판, GaN 기판, SiC 기판 및 Si 기판 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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12
제1항에 있어서, 상기 제 1 GaN층의 두께는,1um ~ 10um인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 GaN층 상에 C, Fe 및 Mg 도펀트 중 적어도 하나의 도펀트를 주입하여 형성된 고-저항 GaN층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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14
제13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도펀트의 농도는,1e17/cm3 ~ 1e19/cm3인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 AlGaN층은,2nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 2 GaN층의 두께는,2nm ~ 10nm인 것인 반도체 소자
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기판 상에 제 1 GaN층을 형성시키는 단계;상기 제 1 GaN층 상에 AlGaN층을 형성시키는 단계;상기 AlGaN층 상에 제 2 GaN층을 형성시키는 단계;상기 제 2 GaN층 상에 제 1 산화막층을 형성시키는 단계;상기 1 산화막층을 선택적으로 식각하여 소스 및 드레인 영역을 정의하는 단계;상기 소스 및 드레인 영역 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키는 단계;선택적인 식각을 근거로 상기 제 2 GaN층 또는 상기 AlGaN층까지 리세스된 영역을 형성시키는 단계; 및상기 리세스된 영역 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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18
제17항에 있어서, 상기 게이트 전극은,상기 제 1 산화막층의 일측 상부와 접촉하는 것인 반도체 소자
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제17항에 있어서, 상기 리세스된 영역 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계는,상기 리세스된 영역 상에 제 2 산화막층을 형성시키는 단계; 및상기 제 2 산화막층 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 제 2 GaN층은,유기 금속 기상 성장법(MOCVD)을 근거로 한 증착 장비에 의해 형성되고,상기 제 1 산화막층은,상기 제 2 GaN층의 형성 후 상기 증착 장비 내에서 인-시츄(in-situ)로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 제 1 GaN층, 상기 AlGaN층 및 상기 제 2 GaN층은,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자
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