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질화물 반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015068280
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요약 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층; 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층; 상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성 반도체층; 상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하고, 제 2전도성 InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층; 상기 오믹 접합층 상에 위치하는 투명 전극; 상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및 상기 투명 전극 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/26(2013.01) H01L 33/26(2013.01)
출원번호/일자 1020120059648 (2012.06.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1414652-0000 (2014.06.26)
공개번호/일자 10-2013-0136088 (2013.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전기성 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0443869-78
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0743670-48
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051731-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0584750-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0855533-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0855532-39
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0838687-00
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0084913-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084918-10
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0233426-67
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0410649-47
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0410650-94
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0328639-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 제 2전도성 반도체층;상기 제 2전도성 반도체층 상에 위치하고, 제 2전도성 InGaN 층을 포함하는 오믹 접합층;상기 오믹 접합층 상에 위치하는 투명 전극;상기 오믹 접합층과 투명 전극 사이에 위치하고, 제 2전도성 GaN 층을 포함하는 캡층;상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 투명 전극 상에 위치하는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 InGaN 층의 In 조성은 Ga 대비 1% 내지 30%인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 오믹 접합층 및 캡층은, 홀 농도의 저하 및 표면 조직도의 저하를 방지하기 위한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 캡층은, 제 2전도성 반도체층보다 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 GaN 층은, 상기 제 2전도성 반도체층보다 전도성이 큰 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 InGaN 층 및 제 2전도성 GaN 층 중 적어도 하나의 도핑 농도는 1019cm-3 내지 1021cm-3인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 캡층의 두께는 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 2전도성 InGaN 층은 상기 제 2전도성 반도체층과 투명 전극 사이의 일함수를 낮추기 위한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 활성층과 제 2전도성 반도체층 사이에는, 전자 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.