| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 형성되고, 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층을 포함하는 제 1 버퍼층;상기 제 1 버퍼층 상에 형성되고, 2DEG를 포함하는 제 2 버퍼층;상기 제 2 버퍼층 상에 형성되는 장벽층; 및상기 장벽층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하되,상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은 상기 제 2 버퍼층과 접촉하는 것인 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 기판은,절연성 기판, GaN 기판, SiC 기판 및 Si 기판 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,전자 친화도가 100이상인 물질을 포함하는 것인 반도체 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 전자 친화도가 100이상인 물질은,F, Cl 및 Br 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 버퍼층은,GaN으로 이루어지고,상기 장벽층은,AlxGa1-xN으로 이루어진 것인 반도체 소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 장벽층은,Al의 조성이 5 ~ 100%인 AlxGa1-xN으로 이루어진 것인 반도체 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,상기 제 1 버퍼층의 일부 영역에 전자 친화도가 100이상인 물질을 주입하여 형성되는 것인 반도체 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,트렌치(trench) 형태, 브이-그루브(V-groove) 형태 및 반원 형태 중 적어도 하나의 형태를 구비하는 것인 반도체 소자
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,상기 제 2 버퍼층의 하부 전면과 접촉하는 것인 반도체 소자
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층의 너비는,0
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층의 두께는,1um ~ 10um이고,상기 제 2 버퍼층의 두께는,1nm ~ 1000nm이고,상기 장벽층의 두께는,1nm ~ 100nm인 것인 반도체 소자
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 장벽층 상의 일부 영역에 형성되는 캡 층(cap layer)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 캡 층(cap layer)은,GaN 및 AIN 중 적어도 하나로 이루어지는 것인 반도체 소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 캡 층(cap layer) 또는 상기 장벽층의 일부 영역 상에 형성되는 오믹 접합 메탈층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 15 |
15
기판 상에 제 1 버퍼층을 형성시키는 단계;상기 제 1 버퍼층에 전자 친화도가 100이상인 물질을 주입시켜 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층을 형성시키는 단계;상기 제 1 버퍼층 상에 제 2 버퍼층을 형성시키는 단계;상기 제 2 버퍼층 상에 장벽층을 형성시키는 단계; 및상기 장벽층 상에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하되,상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은 상기 제 2 버퍼층과 접촉하는 것인 반도체 소자의 제조방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 전자 친화도가 100이상인 물질은,상기 제 1 버퍼층에 임플란테이션(Implantation) 및 플라즈마(Plasma) 중 적어도 하나를 근거로 주입되는 것인 반도체 소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 전자 친화도가 100이상인 물질은,F, Cl 및 Br 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자의 제조방법
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 기판은,절연성 기판, GaN 기판, SiC 기판 및 Si 기판 중 적어도 하나로 이루어지고,상기 제 1 버퍼층 및 상기 제 2 버퍼층은,GaN으로 이루어지고,상기 장벽층은,AlxGa1-xN으로 이루어진 것인 반도체 소자의 제조방법
|
| 19 |
19
제15항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,상기 제 1 버퍼층의 일부 영역에 전자 친화도가 100이상인 물질을 주입하여 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 노멀리-오프(Normally-Off) 유도층은,트렌치(trench) 형태, 브이-그루브(V-groove) 형태 및 반원 형태 중 적어도 하나의 형태를 구비하는 것인 반도체 소자의 제조방법
|
