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제1 도전성 기판의 제1 면 및 제2 면에 각각 제2 도전성의 제1 도펀트 페이스트와 제1 도전성의 제2 도펀트 페이스트를 도포하는, 도포 단계;상기 제1 및 제2 도전성 페이스트를 동시에 열 확산시켜 상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 각각 에미터부 및 후면 전계부를 형성하는, 확산 단계; 그리고,상기 에미터부에 연결되는 제1 전극, 상기 후면 전계부에 연결되는 제2 전극을 각각 형성하는 전극 형성 단계;를 포함하고,상기 확산 단계에서, 상기 제1 도펀트 페이스트와 상기 제2 도펀트 페이스트는 동시에 상기 기판의 제1 면 및 제2면으로 각각 열 확산되고, 상기 에미터부는, 상기 제1 도펀트 페이스트가 도포된 제1 영역에 형성된 제1 면저항 값의 고농도 에미터부와, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 제2 영역에 형성된 상기 제1 면저항 값보다 높은 제2 면저항 값을 갖는 저농도 에미터부를 포함하고, 상기 후면 전계부는, 상기 제2 도펀트 페이스트가 도포된 제1 영역에 형성된 제1 면저항 값의 고농도 전계부와, 상기 제1 영역을 제외한 나머지 제2 영역 사이로 형성된 상기 제1 면저항 값보다 높은 제2 면저항 값을 갖는 저농도 전계부를 포함하고,상기 고농도 에미터부, 상기 저농도 에미터부, 상기 고농도 전계부, 상기 저농도 전계부는 상기 확산 단계에서 다 같이 형성되고,상기 확산 단계에서,상기 기판의 제1 면 및 제2 면에 각각 제1 도펀트 페이스트와 제2 도펀트 페이스트가 도포된 기판이 확산 챔버 내에 복수 개로 배치되며, 상기 복수 개의 기판들은 상기 제1 도펀트 페이스트가 도포된 제1 면끼리 마주하고, 상기 제2 도펀트 페이스트가 도포된 제2 면끼리 마주하게 배치된 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에서,상기 제1 도펀트 페이스트가 도포된 제1 영역은 상기 제1 전극의 패턴과 중첩되는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에서,상기 제2 도펀트 페이스트가 도포된 제1 영역은 상기 제2 전극의 패턴과 중첩되는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에서,상기 확산 단계에서상기 제1 도펀트 페이스트의 불순물과 상기 제2 도펀트 페이스트의 불순물은 불활성 가스 분위기에서 확산되는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에서,상기 복수 개의 기판 중 서로 마주한 서로 가장 인접한 각 기판 사이의 간격은 1
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제1 항에서,상기 확산 단계와 상기 전극 형성 단계 사이에, 상기 에미터부 및 상기 후면 전계부 중 적어도 하나 위에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제9 항에서,상기 유전체층은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화 산화막 및 알루미늄 산화막 중 적어도 하나를 포함하는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제9 항에서,상기 유전체층을 형성하는 단계는상기 기판이 p-타입이고, 상기 에미터부가 n-타입인 경우,질화 실리콘막을 상기 에미터부 위에 형성하는 단계;산화 알루미늄막을 상기 에미터부 위에 형성된 질화 실리콘(SiNx)막 및 상기 후면 전계부의 위에 형성하는 단계; 및질화 실리콘막을 상기 후면 전계부 위에 형성된 상기 산화 알루미늄막 위에 형성하는 단계;를 포함하는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제9 항에서,상기 유전체층을 형성하는 단계는상기 기판이 n-타입이고, 상기 에미터부가 p-타입인 경우,질화 실리콘막을 상기 후면 전계부 위에 형성하는 단계;산화 알루미늄막을 상기 후면 전계부 위에 형성된 질화 실리콘막 및 상기 에미터부 위에 형성하는 단계; 및질화 실리콘막을 상기 에미터부 위에 형성된 산화 알루미늄막 위에 형성하는 단계;를 포함하는 양면형 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에서,상기 고농도 에미터부는 20 Ω/sq
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제1 항에서,상기 고농도 전계부는 20 Ω/sq
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