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반도체 기판에 불순물을 이온 주입하는 단계; 및 상기 불순물의 활성화를 위한 제1 온도로 상기 반도체 기판을 열처리하는 활성화 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 활성화 열처리하는 단계에서,상기 제1 온도에서 상기 불순물을 활성화하기 위해 상기 반도체 기판을 열처리하는 공정 전체가 제1 기체 분위기 하에서 상기 제1 온도보다 낮은 온도에서 상기 반도체 기판에 외부 확산(out-diffusion) 방지막을 형성한 다음에만 수행되고상기 이온 주입 후 상기 활성화 열처리 때까지 온도가 순차적으로 증가하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 기체가 산소를 포함하고, 상기 외부 확산 방지막이 산화막을 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 외부 확산 방지막을 형성할 때 상기 산소와 함께 질소를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 온도에서 상기 반도체 기판을 열처리할 때 상기 제1 기체와 다른 제2 기체 분위기를 유지하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 제2 기체가 질소를 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 활성화 열처리하는 단계는, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로부터 상기 제1 온도가 될 때까지 온도를 상승시키는 초기 구간 및 상기 제1 온도를 유지하는 유지 구간을 포함하고, 상기 초기 구간 중 적어도 일부 구간에서 상기 제1 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 초기 구간은, 상기 제2 온도부터 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도까지 온도를 상승시키는 제1 초기 구간, 상기 제3 온도부터 상기 제1 온도까지 온도를 상승시키는 제2 초기 구간을 포함하고, 상기 제1 초기 구간에서 상기 제1 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 초기 구간보다 상기 유지 구간을 더 긴 시간 동안 수행하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 초기 구간은 5~60분 동안 수행되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제2 초기 구간 및 상기 유지 구간에는 상기 제1 기체와 다른 제2 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 유지 구간 후에 온도를 저감시키는 마무리 구간을 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 초기 구간과 상기 유지 구간은 동일한 열처리 장치 내에서 연속적으로 수행되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 온도가 950~1300℃인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 외부 확산 방지막을 형성할 때의 온도가 650~900℃인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 외부 확산 방지막의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 활성화 열처리하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판을 세정하는 단계를 더 포함하고,상기 세정하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막이 제거되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제16항에 있어서,상기 세정하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막과 함께 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 규산염 유리(silicate glass)가 제거되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 불순물을 이온 주입하는 단계와 상기 활성화 열처리하는 단계 사이에 상기 반도체 기판의 표면에 캐핑층(capping layer)을 형성하는 단계를 포함하여, 상기 활성화 열처리하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막이 상기 캐핑층 상에 형성되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 따른 태양 전지의 불순물층의 형성 방법에 의하여 반도체 기판에 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 불순물층이 에미터층, 전면 전계층 및 후면 전계층 중 적어도 어느 하나인 태양 전지의 제조 방법
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