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태양 전지의 불순물층 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068398
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예에 따른 태양 전지의 불순물층의 형성 방법은, 반도체 기판에 불순물을 이온 주입하는 단계; 및 상기 불순물의 활성화를 위한 제1 온도로 상기 반도체 기판을 열처리하는 활성화 열처리하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 활성화 열처리하는 단계에서는, 제1 기체 분위기 하에서 상기 제1 온도보다 낮은 온도에서 상기 반도체 기판에 외부 확산(out-diffusion) 방지막을 형성한 다음, 상기 제1 온도에서 상기 반도체 기판을 열처리한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120067537 (2012.06.22)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0003692 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.24)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정주화 대한민국 서울특별시 서초구
2 진용덕 대한민국 서울특별시 서초구
3 양영성 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0500143-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0397747-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0122941-71
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0577842-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1033284-25
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1033288-18
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0130349-50
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0285930-11
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0285931-67
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0260373-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
반도체 기판에 불순물을 이온 주입하는 단계; 및 상기 불순물의 활성화를 위한 제1 온도로 상기 반도체 기판을 열처리하는 활성화 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 활성화 열처리하는 단계에서,상기 제1 온도에서 상기 불순물을 활성화하기 위해 상기 반도체 기판을 열처리하는 공정 전체가 제1 기체 분위기 하에서 상기 제1 온도보다 낮은 온도에서 상기 반도체 기판에 외부 확산(out-diffusion) 방지막을 형성한 다음에만 수행되고상기 이온 주입 후 상기 활성화 열처리 때까지 온도가 순차적으로 증가하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 기체가 산소를 포함하고, 상기 외부 확산 방지막이 산화막을 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 외부 확산 방지막을 형성할 때 상기 산소와 함께 질소를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 온도에서 상기 반도체 기판을 열처리할 때 상기 제1 기체와 다른 제2 기체 분위기를 유지하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 기체가 질소를 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 활성화 열처리하는 단계는, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로부터 상기 제1 온도가 될 때까지 온도를 상승시키는 초기 구간 및 상기 제1 온도를 유지하는 유지 구간을 포함하고, 상기 초기 구간 중 적어도 일부 구간에서 상기 제1 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 초기 구간은, 상기 제2 온도부터 상기 제1 온도보다 낮은 제3 온도까지 온도를 상승시키는 제1 초기 구간, 상기 제3 온도부터 상기 제1 온도까지 온도를 상승시키는 제2 초기 구간을 포함하고, 상기 제1 초기 구간에서 상기 제1 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 초기 구간보다 상기 유지 구간을 더 긴 시간 동안 수행하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 제1 초기 구간은 5~60분 동안 수행되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 제2 초기 구간 및 상기 유지 구간에는 상기 제1 기체와 다른 제2 기체를 주입하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 유지 구간 후에 온도를 저감시키는 마무리 구간을 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
12 12
제6항에 있어서,상기 초기 구간과 상기 유지 구간은 동일한 열처리 장치 내에서 연속적으로 수행되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 제1 온도가 950~1300℃인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 외부 확산 방지막을 형성할 때의 온도가 650~900℃인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 외부 확산 방지막의 두께가 0
16 16
제1항에 있어서,상기 활성화 열처리하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판을 세정하는 단계를 더 포함하고,상기 세정하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막이 제거되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 세정하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막과 함께 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 규산염 유리(silicate glass)가 제거되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
18 18
제1항에 있어서,상기 불순물을 이온 주입하는 단계와 상기 활성화 열처리하는 단계 사이에 상기 반도체 기판의 표면에 캐핑층(capping layer)을 형성하는 단계를 포함하여, 상기 활성화 열처리하는 단계에서 상기 외부 확산 방지막이 상기 캐핑층 상에 형성되는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
19 19
제1항에 따른 태양 전지의 불순물층의 형성 방법에 의하여 반도체 기판에 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 불순물층이 에미터층, 전면 전계층 및 후면 전계층 중 적어도 어느 하나인 태양 전지의 제조 방법
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1 CN103515477 CN 중국 FAMILY
2 EP02677546 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02677546 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US09166096 US 미국 FAMILY
5 US20130344647 US 미국 FAMILY

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1 CN103515477 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103515477 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2677546 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2677546 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 US2013344647 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9166096 US 미국 DOCDBFAMILY
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