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태양 전지의 불순물층 형성용 마스크 및 이의 제조 방법, 그리고 이를 이용한 태양 전지용 불순물층의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068408
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시예에 따른 태양 전지용 마스크의 제조 방법은, 비금속 재질로 구성되는 원판을 준비하는 단계; 및 상기 원판에 레이저를 조사하여 복수의 슬릿을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120067538 (2012.06.22)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0003693 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.17)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진성 대한민국 서울특별시 서초구
2 임충현 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0500145-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0470339-08
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0137144-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0645222-61
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0811034-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비금속 재질로 구성되는 원판을 준비하는 단계; 및상기 원판에 레이저를 조사하여 복수의 슬릿을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지용 마스크의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 레이저는 상기 슬릿의 경계선을 따라 조사되어 상기 슬릿에 해당하는 부분을 상기 원판으로부터 분리시키는 태양 전지용 마스크의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 복수의 슬릿의 폭이 각기 0
4 4
제1항에 있어서,상기 레이저가 펨토초 레이저(femto second laser) 또는 피코초 레이저(pico second laser)인 태양 전지용 마스크의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 레이저가 피코초 레이저이고,상기 레이저의 파장이 300~800nm이며, 상기 레이저의 주파수가 100~400KHz이고, 상기 레이저의 출력이 30~50W인 태양 전지용 마스크의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 태양 전지용 마스크가 선택적 구조의 불순물층을 형성할 때 사용되는 태양 전지용 마스크의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 원판의 두께가 0
8 8
제1항에 있어서,상기 복수의 슬릿은, 제1 방향으로 이어지며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격되는 복수의 제1 슬릿부를 포함하는 전지용 마스크의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 복수의 제1 슬릿부는 상기 제1 방향에서 서로 이격되는 복수의 슬릿 부분을 포함하는 태양 전지용 마스크의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 복수의 슬릿 부분은 상기 제1 방향에서 0
11 11
제1항에 있어서,상기 복수의 슬릿은, 제1 방향으로 이어지는 복수의 제1 슬릿부와, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이어지며 상기 복수의 제1 슬릿부과 이격되는 적어도 하나의 제2 슬릿부를 포함하는 태양 전지용 마스크의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,서로 인접한 상기 제1 슬릿부와 상기 제2 슬릿부는 상기 제1 방향에서 0
13 13
비금속 재질로 구성되고, 폭이 각기 0
14 14
제13항에 있어서,상기 복수의 슬릿은, 제1 방향으로 이어지며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격되는 복수의 제1 슬릿부를 포함하는 전지용 마스크의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 복수의 제1 슬릿부는 상기 제1 방향에서 서로 이격되는 복수의 슬릿 부분을 포함하는 태양 전지의 불순물층 형성용 마스크
16 16
제15항에 있어서,상기 복수의 슬릿 부분은 상기 제1 방향에서 0
17 17
제13항에 있어서,상기 복수의 슬릿은, 제1 방향으로 이어지는 복수의 제1 슬릿부와, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이어지며 상기 복수의 제1 슬릿부과 이격되는 적어도 하나의 제2 슬릿부를 포함하는 태양 전지의 불순물층 형성용 마스크
18 18
제13항에 있어서,서로 인접한 상기 제1 슬릿부와 상기 제2 슬릿부는 상기 제1 방향에서 0
19 19
제13항에 있어서,상기 비금속 재질이 흑연을 포함하는 태양 전지의 불순물층 형성용 마스크
20 20
반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 위에 마스크를 위치시키는 단계; 및상기 반도체 기판에 불순물을 도핑하여 선택적 구조 또는 국부적 구조의 불순물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 마스크는, 비금속 재질로 구성되는 원판에 레이저를 조사하여 형성된 복수의 슬릿을 포함하는 태양 전지용 불순물층의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130344637 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013344637 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.