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광 투과성 제1 기판;상기 광 투과성 제1 기판의 상부에 위치하는 복수의 박막 태양전지들; 및상기 복수의 박막 태양전지들을 밀봉하는 광 투과성 제2 기판을 포함하며,상기 복수의 박막 태양전지들 각각은,상기 제1 기판 위에 위치하는 광 투과성 제1 전극;상기 제1 전극 위에 위치하는 적어도 하나의 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 위치하며, 이웃하는 박막 태양전지의 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 광 투과성 제2 전극을 포함하는 박막 태양전지 모듈
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제1항에서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통해 광이 각각 입사되는 박막 태양전지 모듈
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제2항에서,상기 제2 기판은 광 투과성 후면 시트 및 상기 후면 시트와 상기 박막 태양전지들 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함하는 박막 태양전지 모듈
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제2항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 투명 도전성 산화막(TCO)으로 각각 형성되며, 상기 투명 도전성 산화막은 단층 코팅막 또는 다층 코팅막으로 이루어지는 박막 태양전지 모듈
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제4항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)의 단층 코팅막으로 각각 이루어지는 박막 태양전지 모듈
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제4항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)과 알루미늄(Al)의 다층 코팅막으로 각각 이루어지는 박막 태양전지 모듈
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제5항 또는 제6항에서,상기 제1 전극의 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)은 p형 전도도를 가지며, 상기 제2 전극의 알루미늄 도핑된 산화아연은 n형 전도도를 갖는 박막 태양전지 모듈
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제7항에서,상기 제1 전극의 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)은 0
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제7항에서,상기 제1 전극의 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)은 박막 내에 산소의 양이 아연의 양보다 풍부한 O2-rich 상태이고, 상기 제2 전극의 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO)은 박막 내에 산소의 양이 아연의 양보다 부족한 O2-deficient 상태인 박막 태양전지 모듈
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제7항에서,상기 광전 변환부는 p형 도핑층, 진성층 및 n형 도핑층을 포함하는 p/i/n 박막으로 이루어지며, 상기 제1 전극은 상기 광전 변환부의 p형 도핑층과 접촉하는 박막 태양전지 모듈
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제7항에서,상기 광전 변환부는 p형 도핑층, 진성층 및 n형 도핑층을 포함하는 p/i/n 박막으로 이루어지며, 상기 제2 전극은 상기 광전 변환부의 n형 도핑층과 접촉하는 박막 태양전지 모듈
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제4항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 형성하는 상기 투명 도전성 산화막이 서로 동일한 물질로 형성되는 박막 태양전지 모듈
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제4항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 형성하는 상기 투명 도전성 산화막이 서로 다른 물질로 형성되는 박막 태양전지 모듈
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