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태양 전지

  • 기술번호 : KST2015068463
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 제1 도전성 불순물을 함유하는 기판; 기판의 제1 면에 배치되며, 제1 도전성 불순물과 반대인 제2 도전성 불순물을 함유하여 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 에미터부 위에 위치하는 반사 방지막; 반사 방지막의 위에 위치하며, 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및 기판의 제2 면 위에 배치되며, 기판과 연결되는 제2 전극;을 포함하며, 반사 방지막 중에서 제1 전극 아래에 위치하는 제1 영역은 복수의 개구부를 구비하고, 제1 전극은 복수의 개구부를 통하여 노출된 에미터부에 접촉된다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120068443 (2012.06.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0003729 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.17)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남희진 대한민국 서울 서초구
2 진윤실 대한민국 서울 서초구
3 박상욱 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0507807-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0469567-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0141656-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0675727-53
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1180751-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1180752-06
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0311246-02
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.06.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0558825-51
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0558824-16
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2018.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0411311-95
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0798074-31
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0798073-96
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0755383-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 불순물을 함유하는 기판;상기 기판의 제1 면에 배치되며, 상기 제1 도전성 불순물과 반대인 제2 도전성 불순물을 함유하여 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 에미터부 위에 위치하는 반사 방지막;상기 반사 방지막의 위에 위치하며, 제1 영역에서 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극; 및 상기 기판의 제2 면 위에 배치되며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극;을 포함하며,상기 반사 방지막은 상기 제1 영역에서 상기 에미터부를 부분적으로 노출하는 복수의 개구부를 포함하고,상기 제1 전극은 상기 제1 영역에서 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부에 부분적으로 접촉되고,상기 에미터부는, 상기 제1 영역에서 상기 제1 전극과 직접 접촉하고 제1 면저항값을 갖는 복수의 고농도 도핑부와, 상기 제1 영역에서 상기 에미터부와 상기 제1 전극 사이에 위치하는 반사 방지막 아래에 형성되고 상기 복수의 고농도 도핑부보다 낮은 제2 면저항값을 갖는 저농도 도핑부,를 포함하고,상기 복수의 개구부는 개구폭이 다른 제1 및 제2 개구부를 포함하며, 상기 제1 개구부 및 제2 개구부는 상기 제1 영역으로 불규칙하게 배치되고,상기 복수의 고농도 도핑부는 상기 제1 개구부 아래에 형성되는 제1 고농도 도핑부와 상기 제2 개구부 아래에 형성되는 제2 고농도 도핑부를 포함하고,상기 제1 고농도 도핑부는 제1 두께를 가지며, 상기 제2 고농도 도핑부는 상기 제1 두께보다는 작고 상기 에미터부의 두께보다는 두꺼운 제2 두께를 갖는태양전지
2 2
제1 항에 있어서,상기 반사 방지막에서 상기 복수의 개구부는 상기 제1 영역 내에만 형성되고, 상기 제1 전극이 위치하지 않는 나머지 제2 영역에는 형성되지 않는 태양 전지
3 3
제1 항에 있어서,상기 반사 방지막의 제1 영역은 제1 방향으로 뻗어 있는 핑거 영역과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 버스바 영역을 포함하는 태양 전지
4 4
제1 항에 있어서,상기 반사 방지막의 제1 영역 내에 형성되는 상기 복수의 개구부 각각은 서로 이격되어 배치되는 태양 전지
5 5
제1 항에 있어서,상기 복수의 개구부 각각의 평면 형상은 서로 이격된 도트 형상 또는 다각형 형상을 포함하는 태양 전지
6 6
제3 항에 있어서,상기 반사 방지막의 제1 영역 중에서 상기 핑거 영역의 폭은 5μm ~ 20 μm 사이인 태양 전지
7 7
제1 항에 있어서,상기 개구부의 최대 폭은 4 μm 이하인 태양 전지
8 8
제1 항에 있어서,상기 복수의 개구부 사이의 최대 간격은 5 μm 이하인 태양 전지
9 9
제2 항에 있어서,상기 저농도 도핑부는 상기 반사 방지막의 제2 영역에 아래에 위치하는 태양 전지
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1 항에 있어서,상기 복수의 고농도 도핑부는 평면에서 보았을 때에 섬 형태로 형성되고, 일부는 서로 이격되거나, 일부는 서로 연결되는 태양 전지
14 14
제1 항에 있어서,상기 복수의 개구부의 개구폭은 상기 개구부 아래에 형성된 상기 고농도 도핑부의 폭보다 좁은 태양 전지
15 15
제9 항에 있어서,상기 복수의 개구부 아래에 형성된 상기 고농도 도핑부 각각의 폭의 합은 상기 제1 전극의 폭보다 좁은 태양 전지
16 16
삭제
17 17
제9 항에 있어서,상기 반사 방지막과 접하는 상기 에미터부의 제1 면에는 복수의 요철이 형성되고,상기 에미터부의 제1 면 중에서 상기 반사 방지막의 제2 영역 아래에 형성되는 저농도 도핑부에 형성된 요철의 돌출 형상은 피라미드 형상을 포함하는 태양 전지
18 18
제9 항에 있어서,상기 에미터부의 제1 면 중 상기 고농도 도핑부에 형성된 요철의 돌출 형상은 피라미드 형상과 다른 태양 전지
19 19
제9 항에 있어서,상기 에미터부의 제1 면 중에서 상기 반사 방지막의 제1 영역에 형성된 상기 고농도 도핑부에 형성된 요철의 돌출 높이는 상기 제2 영역 아래에 형성되는 저농도 도핑부에 형성된 요철의 돌출 높이보다 작은 태양 전지
20 20
제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 에미터부의 내부로 함입되지 않고, 상기 반사 방지막의 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부의 표면에 접촉되는 태양 전지
21 21
제1 항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부의 제1 표면에 위치하는 시드층, 및 상기 시드층 위에 위치하는 도전성 금속층을 포함하는 태양전지
22 22
제21 항에 있어서,상기 시드층은 니켈을 포함하며, 상기 도전성 금속층은 구리(Cu), 주석(Sn) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
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4 EP02680313 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
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6 JP26007382 JP 일본 FAMILY
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