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태양 전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068520
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요약 본 발명은 태양 전지 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 태양 전지 제조 방법의 일례는 챔버(chamber) 내에 태양 전지를 형성하기 위한 제1 기판을 배치한 후, 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 제1 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 제1 기판을 챔버 외부로 배출하는 제1 증착 공정; 제1 증착 공정 이후, 챔버 내에 제2 기판을 배치한 후, 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 제2 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 제2 기판을 챔버 외부로 배출하는 제2 증착 공정; 및 제2 증착 공정 이후, 챔버 내에 제3 기판을 배치한 후, 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 제3 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 제3 기판을 챔버 외부로 배출하는 제3 증착 공정;을 포함하고, 제1 증착 공정과 제2 증착 공정에서의 공정 가스 비율은 서로 다르고, 제2 증착 공정과 제3 증착 공정에서의 공정 가스 비율은 서로 동일하게 적용된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120072680 (2012.07.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0007034 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조근태 대한민국 서울 서초구
2 김성진 대한민국 서울 서초구
3 이성은 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0534444-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
챔버(chamber) 내에 태양 전지를 형성하기 위한 제1 기판을 배치한 후, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 상기 제1 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 상기 제1 기판을 상기 챔버 외부로 배출하는 제1 증착 공정;상기 제1 증착 공정 이후, 상기 챔버 내에 제2 기판을 배치한 후, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 상기 제2 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 상기 제2 기판을 상기 챔버 외부로 배출하는 제2 증착 공정; 및상기 제2 증착 공정 이후, 상기 챔버 내에 제3 기판을 배치한 후, 상기 챔버 내로 공정 가스를 공급하여 상기 제3 기판 위에 반사 방지막을 증착하고, 상기 제3 기판을 상기 챔버 외부로 배출하는 제3 증착 공정;을 포함하고,상기 제1 증착 공정과 상기 제2 증착 공정에서의 공정 가스 비율은 서로 다르고, 상기 제2 증착 공정과 상기 제3 증착 공정에서의 공정 가스 비율은 서로 동일한 태양 전지 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 증착 공정, 상기 제2 증착 공정 및 상기 제3 증착 공정에서 증착된 반사 방지막의 두께는 공정 오차 범위내에서 실질적으로 서로 동일한 태양 전지 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 제1 증착 공정, 상기 제2 증착 공정 및 상기 제3 증착 공정에서 증착된 반사 방지막의 굴절률은 공정 오차 범위내에서 실질적으로 서로 동일한 태양 전지 제조 방법
4 4
제2 항 또는 제3 항에 있어서,상기 공정 오차 범위는 10% 범위 이내인 태양 전지 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,태양 전지 제조 방법은상기 제1 증착 공정과 상기 제2 증착 공정 사이에는 상기 제1 증착 공정 및 상기 제2 증착 공정에서의 공정 가스 비율과 다른 공정 가스 비율이 적용되는 제4 증착 공정을 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 태양 전지 제조 방법은 상기 제3 증착 공정 이후, 상기 챔버 내벽에 증착된 상기 공정 가스 물질을 제거하는 클리닝(cleaning) 공정을 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 클리닝 공정은 상기 제3 증착 공정이 복수 번 반복된 이후 수행되는 태양 전지 제조 방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 클리닝 공정이 최초로 수행된 이후부터는, 상기 제1 증착 공정이 수행되지 않고, 상기 제3 증착 공정이 복수 번 반복 수행될 때마다 한번 씩 상기 클리닝 공정이 수행되는 태양 전지 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 제1, 2, 3 증착 공정에서 증착되는 각 반사 방지막은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 질화산화막(SiNxOy) 중 어느 하나를 포함하는 태양 전지 제조 방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1, 2, 3 증착 공정에서 증착되는 각 반사 방지막은 실리콘 질화막(SiNx)을 포함하고,상기 제1, 2, 3 증착 공정에서의 각 공정 가스는 실란(SiH4) 가스, 암모니아(NH3) 가스 및 질소(N2) 가스를 포함하는 태양 전지 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 제2, 3 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량(a) 대 암모니아(NH3) 가스량(b)의 비(a/b)는 상기 제1 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량(a) 대 암모니아(NH3) 가스량(b)의 비(a/b)보다 작은 태양 전지 제조 방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 제2, 3 증착 공정에서의 질소(N2) 가스량(c) 대 실란(SiH4) 가스량(a)의 비(c/a)는 상기 제1 증착 공정에서의 질소(N2) 가스량(c) 대 실란(SiH4) 가스량(a)의 비(c/a)보다 큰 태양 전지 제조 방법
13 13
제10 항에 있어서,상기 제1, 2, 3 증착 공정에서 공급되는 암모니아(NH3) 가스 및 질소(N2) 가스의 양은 각각 동일하고,상기 제2, 3 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량은 상기 제1 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량보다 작은 태양 전지 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 제2, 3 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량은 상기 제1 증착 공정에서의 실란(SiH4) 가스량보다 200sccm ~ 400sccm 작은 태양 전지 제조 방법
15 15
제1 항에 있어서,상기 제1 증착 공정이 복수 번 수행된 이후, 상기 제2 증착 공정이 수행되는 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.