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자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자

기술번호 : KST2015068538
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서, 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 1전도성 반도체층; 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하고, 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 2전도성 반도체층; 및 상기 제 1전도성 반도체층과 제 2전도성 반도체층 사이에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하는 활성층을 포함하여 구성되고, 상기 활성층은 다수의 양자 장벽층 및 다수의 양자 우물층을 포함하며, 상기 다수의 양자 우물층은 상기 제 1전도성 반도체층에 근접하고, 양자 우물층들 중에서 두께가 가장 두꺼운 제 1양자 우물층을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL	H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/06 (2014.01)
CPC	H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자	1020120076102 (2012.07.12)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1377969-0000 (2014.03.19)
공개번호/일자	10-2014-0009696 (2014.01.23) 문서열기
공고번호/일자	(20140324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.09.12)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김치선	대한민국	서울 서초구
2	채동주	대한민국	서울 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	박영복	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.07.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0558221-77
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737402-33
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737401-98
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.06.05	수리 (Accepted)	9-1-2013-0042688-59
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0608716-53
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0919864-61
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-0919866-52
9	등록결정서 Decision to grant	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0147025-11
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서,알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 1전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하고, 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 2전도성 반도체층; 및상기 제 1전도성 반도체층과 제 2전도성 반도체층 사이에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하는 활성층을 포함하여 구성되고,상기 활성층은 다수의 양자 장벽층 및 다수의 양자 우물층을 포함하며, 상기 양자 장벽층 또는 양자 우물층은 알루미늄을 포함하고,상기 다수의 양자 우물층은 상기 제 1전도성 반도체층에 근접하고, 양자 우물층들 중에서 두께가 가장 두꺼운 제 1양자 우물층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1전도성 반도체층은, p-형 반도체층인 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
3	3 삭제
4	4 제 1항에 있어서, 상기 제 1양자 우물층과 제 2전도성 반도체층 사이에는, 제 1양자 우물층보다 두께가 얇은 제 2양자 우물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 다수의 양자 우물층은, 상기 제 1전도성 반도체층에 근접할수록 그 두께가 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 양자 장벽층은, 상기 제 2전도성 반도체층에 근접하고 두께가 가장 두꺼운 제 1양자 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
7	7 제 6항에 있어서, 상기 제 1양자 장벽층과 제 1전도성 반도체층 사이에는, 제 1양자 장벽층보다 두께가 얇은 제 2양자 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
8	8 제 1항에 있어서, 상기 다수의 양자 장벽층은, 상기 제 2전도성 반도체층에 근접할수록 그 두께가 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
9	9 제 1항에 있어서, 상기 양자 장벽층은, 상기 제 1양자 우물층에 접하고 두께가 가장 얇은 제 3양자 장벽층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
10	10 제 9항에 있어서, 상기 제 3양자 장벽층의 두께는, 전체 양자 장벽층의 두께의 평균보다 60% 이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
11	11 제 1항에 있어서, 상기 활성층의 발광 파장은, 200 nm 내지 320 nm인 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
12	12 제 1항에 있어서, 상기 제 1양자 우물층의 두께는, 전체 양자 우물층의 두께의 평균보다 130% 이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1377969-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120712 출원 번호 : 1020120076102 공고 연월일 : 20140324 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140227 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 33/04 발명의 명칭 : 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2014년 03월 20일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2017년 02월 24일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2018년 02월 23일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2019년 02월 22일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.07.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0558221-77
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737402-33
3	[명세서등 보정]보정서	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737401-98
4	선행기술조사의뢰서	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2013.06.05	수리 (Accepted)	9-1-2013-0042688-59
6	의견제출통지서	2013.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0608716-53
7	[명세서등 보정]보정서	2013.10.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0919864-61
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.11	수리 (Accepted)	1-1-2013-0919866-52
9	등록결정서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0147025-11
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015068538
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자
기술개요	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 자외선 발광 질화물계 반도체 발광 소자에 있어서, 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 1전도성 반도체층; 상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하고, 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체로 이루어지는 제 2전도성 반도체층; 및 상기 제 1전도성 반도체층과 제 2전도성 반도체층 사이에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하는 활성층을 포함하여 구성되고, 상기 활성층은 다수의 양자 장벽층 및 다수의 양자 우물층을 포함하며, 상기 다수의 양자 우물층은 상기 제 1전도성 반도체층에 근접하고, 양자 우물층들 중에서 두께가 가장 두꺼운 제 1양자 우물층을 포함하여 구성될 수 있다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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