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제1 도전성 타입을 갖는 기판;상기 기판의 제1 면에 위치하고, 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부;상기 에미터부 위에 위치한 제1 유전층부;상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치한 제2 유전층부;상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극부; 및상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극부를 포함하며,상기 에미터부는 복수의 제1 돌출부를 포함하는 제1 텍스처링 표면과, 상기 제1 돌출부의 표면에 위치하며 상기 제1 돌출부 보다 작은 크기의 복수의 제2 돌출부를 포함하는 제2 텍스처링 표면을 구비하고,상기 제1 돌출부의 피크는 곡면으로 형성되며,상기 제2 돌출부는 상기 복수의 제1 돌출부 중 적어도 하나의 제1 돌출부의 곡면으로 형성된 피크(peak)에도 위치하고,상기 제1 돌출부 각각은 5㎛ 내지 15㎛의 크기를 가지며, 상기 제2 돌출부 각각은 200㎚ 내지 600㎚의 크기를 갖고,상기 제2 유전층부는 상기 기판의 상기 제2 면 위에 위치하는 제1 유전층 및 상기 제1 유전층 위에 위치하는 제2 유전층을 포함하고, 상기 제1 유전층부는 상기 에미터부 위에 위치하는 상기 제2 유전층 및 상기 제2 유전층 위에 위치하는 제3 유전층을 포함하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 돌출부의 밸리(valley)는 곡면으로 형성되며, 상기 제2 돌출부는 상기 복수의 제1 돌출부 중 적어도 하나의 제1 돌출부의 곡면으로 형성된 밸리(valley)에도 위치하는 태양전지
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제1항 또는 제2항에서,상기 제2 돌출부들의 수직 단면에 있어서 정점을 연결한 가상선의 길이(a)와 상기 가상선의 시점과 종점을 연결한 직선의 길이(b)의 비율(a/b)이 1
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제5항에서,상기 비율(a/b)은 3개 이상의 제2 돌출부들에 대해 측정된 값으로 이루어지는 태양전지
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제1항 또는 제2항에서,상기 제1 유전층 및 상기 제3 유전층은 70㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 수소화된 실리콘 질화물로 각각 이루어지며, 상기 제2 유전층은 5㎚ 내지 15㎚의 두께를 갖는 알루미늄 산화물로 이루어지는 태양전지
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제8항에서,상기 제2 유전층부는 상기 제1 유전층과 상기 제2 유전층 사이에 위치하는 수소화된 실리콘 산화막을 더 포함하며, 상기 수소화된 실리콘 산화막은 50㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양전지
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제8항에서,상기 기판의 상기 제2 면과 상기 제1 유전층 사이에 위치하는 실리콘 산화막을 더 포함하며, 상기 실리콘 산화막은 2㎚ 내지 3㎚의 두께를 갖는 태양전지
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제8항에서,상기 제1 텍스처링 표면 및 상기 제2 텍스처링 표면은 상기 기판의 상기 제1 면과 상기 기판의 상기 제2 면에 모두 형성되고, 상기 기판의 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 통해 빛이 각각 입사되는 태양전지
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제8항에서,상기 제3 유전층 위에 위치하는 수소화된 실리콘 산화막을 더 포함하며, 상기 수소화된 실리콘 산화막은 50㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양전지
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제8항에서,상기 에미터부와 상기 제2 유전층 사이에 위치하는 실리콘 산화막을 더 포함하며, 상기 실리콘 산화막은 2㎚ 내지 3㎚의 두께를 갖는 태양전지
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알칼리 식각액을 이용한 이방성(anisotropic) 식각을 실시하여 복수의 제1 돌출부를 포함하는 제1 텍스처링 표면을 기판의 적어도 한쪽 면에 형성하는 단계;산 식각액을 이용한 등방성(isotropic) 식각을 실시하여 상기 복수의 제1 돌출부를 에치백(etch back) 함으로써, 상기 제1 돌출부의 피크를 곡면(curved surface)으로 형성하는 단계;반응성 이온 식각법(reaction ion etching, RIE)을 사용한 건식 식각 공정을 실시하여, 상기 제1 돌출부보다 작은 크기로 형성된 복수의 제2 돌출부를 포함하는 제2 텍스처링 표면을 상기 제1 돌출부의 표면에 형성하는 단계; 및이온 주입 공정을 실시하여 상기 제1 텍스처링 표면 및 상기 제2 텍스처링 표면에 불순물 이온을 주입하고, 활성화 공정을 실시하여 에미터부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 복수의 제1 돌출부 중 적어도 하나의 제1 돌출부의 곡면으로 형성된 피크(peak)에도 상기 제2 돌출부를 형성하고,상기 제1 텍스처링 표면 및 상기 제2 텍스처링 표면을 상기 기판의 제1 면 및 상기 제1 면의 반대 쪽에 위치하는 제2 면에 모두 형성하고, 상기 기판의 제1 면에는 상기 에미터부를 형성하며, 상기 기판의 제2 면에는 후면 전계부를 국부적으로 형성하고,상기 기판의 제2 면에 제1 유전층(first dielectric layer)을 형성하는 단계;상기 에미터부 위, 그리고 상기 기판의 제2 면에 위치한 제1 유전층 위에 제2 유전층을 동시에 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 위치한 상기 제2 유전층 위에 제3 유전층을 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제14항에서,상기 복수의 제1 돌출부 중 적어도 하나의 제1 돌출부의 곡면으로 형성된 밸리(valley)에도 상기 제2 돌출부를 형성하는 위치하는 태양전지의 제조 방법
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제14항 또는 제15항에서,상기 에미터부는 제1 불순물 이온을 주입 및 활성화하여 형성하고, 상기 후면 전계부는 상기 제1 불순물 이온의 반대 도전성을 갖는 제2 불순물 이온을 주입 및 활성화하여 형성하며, 상기 제1 불순물 이온 및 상기 제2 불순물 이온의 활성화 공정은 상기 제1 불순물 이온이 활성화되는 1000℃ 내지 2000℃의 온도에서 20분 내지 60분 실시하는 태양전지의 제조 방법
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제18항에서,상기 건식 식각 공정에 의해 손상된 기판의 제1 면 및 제2 면을 상기 활성화 공정을 이용하여 제거하는 태양전지의 제조 방법
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제14항 또는 제15항에서,상기 제1 유전층 및 상기 제3 유전층은 수소화된 실리콘 질화물을 70㎚ 내지 100㎚의 두께로 증착하여 각각 형성하고, 상기 제2 유전층은 알루미늄 산화물을 5㎚ 내지 15㎚의 두께로 증착하여 형성하며, 상기 알루미늄 산화물은 원자층 증착법을 사용하여 증착하는 태양전지의 제조 방법
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제21항에서,상기 제1 유전층과 상기 제2 유전층 사이, 그리고 상기 제3 유전층 위에 수소화된 실리콘 산화물을 50㎚ 내지 100㎚의 두께로 증착하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제21항에서,상기 제1 유전층을 형성하기 전에, 2 내지 4의 Ph 농도를 갖는 질산에 상기 기판을 5분 내지 30분 동안 침지시켜 2㎚ 내지 3㎚의 두께로 실리콘 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제14항 또는 제15항에서,상기 후면 전계부는 상기 제2 전극부와 동일한 패턴으로 형성하는 태양전지의 제조 방법
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