| 1 |
1
기판 위에 형성되고, 제1 도핑 물질로 도핑된 질화물로 이루어지는 제1 고저항층;상기 제1 고저항층 위에 형성되고, 상기 제1 도핑 물질과 제2 도핑 물질로 함께 도핑된 질화물로 이루어지는 제2 고저항층;상기 제2 고저항층 위에 형성되고, 도핑되지 아니한 질화물로 이루어지는 활성층;상기 활성층 위에 형성되고, 상기 활성층에 2차원 전자 가스 채널이 형성되도록 하는 장벽층; 및상기 장벽층 위에 각각 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하고,상기 제2 도핑 물질은, 상기 제2 고저항층보다 상기 제1 고저항층에 적게 포함되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 제1 고저항층에서의 상기 제1 도핑 물질의 농도는, 상기 제2 고저항층에서의 상기 제1도핑 물질의 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 제1 도핑 물질은 철(Fe)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 6 |
6
제5 항에 있어서,상기 제2 도핑 물질은 탄소(C)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서,상기 제2 고저항층은,그 높이가 높아질수록, 상기 제1 도핑 물질의 농도가 감소하고, 상기 제2 도핑 물질의 농도가 증가하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 제1 고저항층, 제2 고저항층, 및 활성층은,각각 갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 그 전체 두께는 1 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 장벽층은,알루미늄 갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 두께는 2 내지 100 나노미터인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서,상기 장벽층 위에 형성되고, 갈륨 나이트라이드 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드로 이루어지는 캡층;을 더 포함하는 질화물 반도체 소자
|
| 11 |
11
제1 항, 제4항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장벽층 위에 형성된 게이트 절연막층; 및상기 게이트 절연막층 위에 접촉되는 게이트 전극;을 더 포함하는 질화물 반도체 소자
|
| 12 |
12
제1 항, 제4항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장벽층을 식각하거나, 또는 상기 장벽층과 함께 상기 활성층의 일부 또는 전부를 식각하여 형성된 리세스 영역;상기 리세스 영역에 형성된 게이트 절연막층; 및상기 게이트 절연막층 위에 접촉되는 게이트 전극;을 더 포함하는 질화물 반도체 소자
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
