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기판 위에 형성되는 제1 AlGaN층;2차원 전자 가스 채널을 구비하고, 상기 제1 AlGaN층 위에 형성되는 GaN층;상기 GaN층 위에 형성되는 제2 AlGaN층;상기 제1 AlGaN층 하부에 형성되고, 메탈로 이루어진 드레인 전극; 및상기 제2 AlGaN층 위에 각각 형성되는 게이트 전극 및 소스 전극;을 포함하고,상기 2차원 전자 가스 채널은,상기 GaN층과 상기 제2 AlGaN층의 접촉면을 따라 수평 방향 및 수직 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항에 있어서,상기 제1 AlGaN층의 일부와 상기 제2 AlGaN층의 일부가 서로 접촉하도록 상기 GaN층에는 리세스 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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기판 위에 형성되는 제1 AlGaN층;상기 제1 AlGaN층 위에 형성되는 GaN층;상기 GaN층의 식각된 리세스 영역 및 상기 GaN층 위에 형성되는 제2 AlGaN층;상기 제1 AlGaN층 하부에 형성되고, 메탈로 이루어진 드레인 전극; 및상기 제2 AlGaN층 위에 각각 형성되는 게이트 전극 및 소스 전극;을 포함하는 질화물 반도체 소자
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제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 AlGaN층은,n형 AlxGa1-xN층이고, 0≤x≤1,인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 GaN층은,도핑되지 아니한 GaN층이거나, 또는 카본, 아이언, 마그네슘, 및 이들의 조합 중 하나로 도핑된 고저항 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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6
제5 항에 있어서,상기 GaN층의 두께는, 0
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제5 항에 있어서,상기 GaN층에 도핑된 불순물 농도는, 1e17/cm3 내지 1e20/cm3인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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8
제2 항 또는 제3 항에 있어서,상기 GaN층에는 일정 폭을 가진 줄무늬 패턴이 형성되고,상기 줄무늬 패턴 부분이 식각되어 상기 리세스 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제8 항에 있어서,상기 줄무늬 패턴의 폭은, 0
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10
제3 항에 있어서,상기 제2 AlGaN층은,상기 제1 AlGaN층의 일부와 맞닿도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 GaN층은,상기 제1 AlGaN층 위에 선택적 성장에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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12
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 AlGaN층의 두께는, 상기 GaN층보다 두껍게 형성되고, 0
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13
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극은,상기 제2 AlGaN층 위에 형성되는 게이트 절연막층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 AlGaN층 위에 형성되는 p형 GaN층;을 더 포함하고,상기 게이트 전극은,상기 p형 GaN층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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15
기판 위에 제1 AlGaN층을 형성하는 단계;상기 제1 AlGaN층 위에 GaN층을 형성하는 단계;상기 GaN층을 식각하여 리세스 영역을 형성하는 단계;상기 리세스 영역 및 상기 GaN층 위에 제2 AlGaN층을 형성하는 단계;상기 제2 AlGaN층 위에 소스 전극을 형성하는 단계;상기 제2 AlGaN층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 AlGaN층 하부에 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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16
제15 항에 있어서,상기 리세스 영역을 형성하는 단계는,상기 GaN층 위에 일정 폭을 가진 줄무늬 패턴을 형성하고, 상기 줄무늬 패턴을 식각하여 상기 리세스 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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17
제16 항에 있어서,상기 줄무늬 패턴의 폭은, 0
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18
기판 위에 제1 AlGaN층을 형성하는 단계;상기 제1 AlGaN층 위에 선택적으로 GaN층을 성장하여 형성하는 단계;상기 제1 AlGaN층의 일부와 상기 GaN층 위에 제2 AlGaN층을 형성하는 단계;상기 제2 AlGaN층 위에 소스 전극을 형성하는 단계;상기 제2 AlGaN층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 AlGaN층 하부에 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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19
제18 항에 있어서,상기 선택적으로 성장된 상기 GaN층 사이의 간격은, 0
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제15 항 내지 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 AlGaN층 위에 게이트 절연막층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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제15 항 내지 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 AlGaN층 위에 p형 GaN층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
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