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반도체 물질을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 불순물을 도핑하여 불순물층을 형성하는 단계; 및 상기 불순물층에 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전극을 형성하는 단계는, 상기 불순물층 위에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판에 인접한 상기 금속층의 부분이 상기 반도체 물질과 반응하여 형성된 화합물을 포함하는 제1 층을 형성하고, 상기 제1 층 위로 상기 금속층이 잔류한 제2 층이 위치하도록, 상기 금속층을 열처리하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층이 니켈(Ni), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta) 및 이들의 합금로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하고,상기 제1 층의 상기 화합물이 상기 금속층의 금속과 상기 반도체 기판의 실리콘(Si)이 반응하여 형성된 실리사이드(silicide)를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층이 Ni을 포함하여, 상기 제1 층이 NiSi를 포함하고 상기 제2 층이 Ni를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 층의 두께 : 상기 제2 층의 두께의 비율이 1:0
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제1항에 있어서, 상기 제1 층이 상기 제2 층보다 두꺼운 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계에서 상기 금속층의 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 제1 층의 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 열처리하는 단계에서 열처리 온도가 250~400℃인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 열처리하는 단계에서 열처리 온도가 250~300℃인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층을 열처리하는 단계 이후에, 상기 제2 층 위에 구리(Cu), 주석(Sn), 은(Ag) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 적어도 하나의 다른 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 불순물층을 형성하는 단계와 상기 전극을 형성하는 단계 사이에, 상기 불순물층 위에 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 절연막에 레이저를 이용하여 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 전극을 형성하는 단계에서는 상기 개구부 내에 상기 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 반도체 기판을 준비하는 단계에서 상기 반도체 기판의 표면은 텍스쳐링에 의한 요철을 포함하고, 상기 개구부를 형성하는 단계에서 상기 개구부가 형성된 부분에서는 상기 요철이 제거되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계에서는 전해 도금, 무전해 도금 및 증착으로 이루어진 군에서 선택된 방법을 이용하는 태양 전지의 제조 방법
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반도체 물질을 포함하며, 텍스쳐링에 의한 요철이 형성되는 부분과 요철이 형성되지 않은 부분을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판에 형성된 불순물층; 및 상기 불순물층에 전기적으로 연결되며 상기 요철이 형성되지 않은 부분에 형성되는 전극 을 포함하고, 상기 전극은, 적어도 상기 반도체 기판과 접촉하는 배리어층을 포함하고, 상기 배리어층은, 상기 요철이 형성되지 않은 부분에서 상기 반도체 기판 위에 형성되며 상기 반도체 물질과 금속의 반응에 의하여 형성된 화합물을 포함하는 제1 층; 및 상기 제1 층 위에 형성되며 상기 제1 층에 포함되는 상기 금속을 포함하는 제2 층을 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 금속이 Ni, Pt, Ti, Co, W, Mo, Ta 및 이들의 합금로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하고, 상기 제1 층의 상기 화합물이 상기 금속과 상기 반도체 기판의 Si이 반응하여 형성된 실리사이드를 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 층이 NiSi를 포함하고, 상기 제2 층이 Ni를 포함하는 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 층의 두께 : 상기 제2 층의 두께의 비율이 1:0
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제14항에 있어서, 상기 제1 층이 상기 제2 층보다 두꺼운 태양 전지
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제14항에 있어서, 상기 제1 층의 두께가 0
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제14항에 있어서, 상기 전극은 상기 배리어층 위에 형성되는 적어도 하나의 금속층을 포함하고, 상기 제1 층이 NiSi를 포함하고, 상기 제2 층이 Ni를 포함하며, 상기 적어도 하나의 금속층은 Cu, Sn, Ag 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지
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