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질화물 반도체 소자에 있어서,기판 위에 형성되고, 질화물계 반도체로 이루어진 저저항층;상기 저저항층 위에 형성되는 채널층;상기 채널층 위에 형성되는 장벽층;상기 기판의 후면에 형성되고, 메탈로 이루어진 드레인 전극;상기 장벽층 위에 형성되는 소스 전극; 및상기 채널층 및 장벽층과, 상기 저저항층의 일부 영역을 포함하여 형성되는 리세스 영역에 형성되며, 메탈로 이루어지는 게이트 전극;을 포함하고,상기 질화물 반도체 소자는 Metal-Semiconductor 구조로 이루어지고,상기 기판은,갈륨 나이트라이드 기판, 실리콘 카바이트 기판, 및 실리콘 기판 중 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항에 있어서,상기 리세스 영역은,트렌치 형태, 브이-그루브 형태, 반원 형태, 및 계단 형태 중 하나 이상의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제4 항에 있어서,상기 리세스 영역은,최소한 상기 저저항층의 일부를 포함하도록 형성되고, 그 깊이가 상기 저저항층의 1/3 이하에 이르기까지 식각된 영역인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항에 있어서,두 개의 소스 전극들은 하나의 게이트 전극을 공유하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1 항, 제4항, 제5항 및 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저저항층은,엔-형 갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 두께는 0
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제1 항, 제4항, 제5항 및 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층은,갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 2차원 전자 가스 채널이 형성되며, 두께는 0
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