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선택적 에미터를 갖는 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068693
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 태양전지는 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 이온 주입된 제2 도전성 타입의 불순물을 포함하는 선택적 에미터부; 및 선택적 에미터부와 연결되는 제1 전극부를 포함하며, 선택적 에미터부는 제1 두께를 갖는 제1 에미터부 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 에미터부를 포함하고, 제1 전극부는 제2 에미터부와 접촉한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120085739 (2012.08.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0020372 (2014.02.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조해종 대한민국 서울 서초구
2 양영성 대한민국 서울 서초구
3 권태영 대한민국 서울 서초구
4 권정효 대한민국 서울 서초구
5 이만 대한민국 서울 서초구
6 최형욱 대한민국 서울 서초구
7 마성봉 대한민국 서울 서초구
8 정주화 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0626746-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0487029-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0142211-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0680035-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1159520-27
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1159521-73
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0219879-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0418258-23
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0418259-79
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0356579-88
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 이온 주입된 제2 도전성 타입의 불순물을 포함하는 선택적 에미터부; 및상기 선택적 에미터부와 연결되는 제1 전극부를 포함하며,상기 선택적 에미터부는 제1 두께를 갖는 제1 에미터부 및 상기 제1 두께보다 제3 두께만큼 얇은 제2 두께를 갖는 제2 에미터부를 포함하고,상기 제1 전극부는 상기 제2 에미터부와 접촉하며,상기 제1 에미터부는 고농도 도핑부로 형성되고, 상기 제2 에미터부는 고농도 도핑부로 형성된 상기 제1 에미터부의 상부 표면이 상기 제3 두께만큼 제거되어 형성되고,상기 제2 에미터부의 상부 표면 불순물 농도는 상기 제1 에미터부의 상부 표면 불순물 농도보다 높으며,상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도는 상기 제1 에미터부의 상부 표면으로부터 멀어질수록 점차적으로 증가하다가 점차적으로 감소하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 에미터부의 불순물 도핑 농도는 상기 제2 에미터부의 상부 표면으로부터 멀어질수록 점차적으로 증가하다가 점차적으로 감소하거나, 상기 제2 에미터부의 상부 표면으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소하는 태양전지
5 5
제4항에서,상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이인 상기 제3 두께는 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께와 동일한 태양전지
6 6
제4항에서,상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이인 상기 제3 두께는 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께보다 큰 태양전지
7 7
제4항에서,상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이인 상기 제3 두께는 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께보다 작은 태양전지
8 8
제1항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 제1 에미터부와 제2 에미터부의 하부 표면이 서로 동일한 평면상에 위치하는 태양전지
9 9
제1 두께를 갖는 제1 에미터부 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 에미터부를 포함하는 선택적 에미터부를 기판의 제1 면에 형성하는 단계; 및상기 제2 에미터부와 연결된 제1 전극부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 선택적 에미터부를 형성하는 단계는,이온 주입법을 이용하여 상기 기판의 제1 면에 불순물을 이온 주입한 후, 상기 불순물을 활성화(activation) 시켜, 제1 두께를 갖는 제1 에미터부를 형성하는 단계; 및상기 제1 전극부가 위치하는 영역의 상기 제1 에미터부를 에치백 하여, 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 에미터부를 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
10 10
제9항에서,상기 제1 에미터부는 불순물 도핑 농도가 상기 제1 에미터부의 깊이 방향으로 점차적으로 증가하다가 점차적으로 감소하도록 형성하는 태양전지의 제조 방법
11 11
제10항에서,상기 제2 에미터부는 불순물 도핑 농도가 상기 제2 에미터부의 깊이 방향으로 점차적으로 감소하도록 형성하는 태양전지의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 제2 에미터부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께와 동일한 두께로 상기 제1 에미터부를 제거하는 태양전지의 제조 방법
13 13
제11항에서,상기 제2 에미터부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께보다 두꺼운 두께로 상기 제1 에미터부를 제거하는 태양전지의 제조 방법
14 14
제11항에서,상기 제2 에미터부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 에미터부의 불순물 도핑 농도가 점차적으로 증가하는 영역의 두께보다 작은 두께로 상기 제1 에미터부를 제거하는 태양전지의 제조 방법
15 15
제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에서,상기 제2 에미터부를 형성하는 단계는,상기 제1 전극부가 위치하는 영역에 식각 페이스트를 형성하는 단계; 및상기 식각 페이스트에 의해 상기 제1 에미터부를 상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이만큼 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
16 16
제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에서,상기 제2 에미터부를 형성하는 단계는,상기 제1 전극부가 위치하는 영역을 제외한 나머지 영역에 식각 방지막을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극부가 위치하는 영역의 상기 제1 에미터부를 상기 제1 두께와 상기 제2 두께의 차이만큼 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.