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제 1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 후면에 배치되어, 상기 반도체 기판과 p-n 접합을 형성하며, 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입을 갖는 에미터부;상기 반도체 기판의 후면에 배치되며, 상기 반도체 기판보다 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 고농도로 함유하는 후면 전계부;상기 에미터부 위에 형성되는 제1 전극;상기 후면 전계부 위에 형성되는 제2 전극; 및상기 기판의 후면 중 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되는 버퍼층;을 포함하며,상기 반도체 기판의 후면 중에서 상기 버퍼층과 중첩되는 영역에는 제1 형상을 갖는 요철이 형성되고, 상기 버퍼층과 중첩되는 영역을 제외한 상기 반도체 기판의 후면 중에서 상기 에미터부 또는 상기 후면 전계부와 접하는 영역 중 적어도 하나의 영역에는 상기 제1 형상과 다른 제2 형상을 갖는 요철이 형성된 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 형상을 갖는 요철은 꼭대기 부분에 평탄한 면을 포함하고, 상기 제2 형상을 갖는 요철은 꼭대기 부분에 평탄한 면을 포함하지 않는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 사다리꼴 형태를 포함하고, 상기 제2 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 피라미드 형태를 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 형상을 갖는 요철에서 꼭대기 부분에 형성되는 평탄한 면의 폭은 1~20 μm 사이인 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 사다리꼴 형태를 갖는 요철들 중에서 최대 높이는 상기 피라미드 형태를 갖는 요철들 중에서 최대 높이를 갖는 요철의 높이보다 작은 태양 전지
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제 6 항에 있어서,상기 사다리꼴 형태를 갖는 요철들 중에서 최대 높이는 5μm이고, 상기 피라미드 형태를 갖는 요철들 중에서 최대 높이는 15μm인 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 사다리꼴 형태를 갖는 요철의 밑면 형상은 상기 피라미드 형태를 갖는 요철의 밑면 형상과 동일한 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 후면 중에서 상기 제2 형상을 갖는 요철이 형성되는 영역은 상기 제1 전극과 상기 에미터부의 접합면과 중첩되는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 후면 중에서 상기 제2 형상을 갖는 요철이 형성되는 영역은 상기 제2 전극과 상기 후면 전계부의 접합면과 중첩되는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 에미터부와 상기 후면 전계부는 측면이 서로 접하고, 상기 버퍼층은 서로 접하는 상기 에미터부와 상기 후면 전계부의 접합면 위에 배치되는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 비전도성 절연 물질을 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 에미터부 및 상기 후면 전계부는 결정질 실리콘 또는 비정질 실리콘을 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 피라미드 형태를 포함하고, 상기 제2 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 피라미드 형태의 경사면에 상기 피라미드 형태의 요철보다 크기가 작은 복수 개의 요철이 결합된 형태를 포함하는 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 사다리꼴 형태를 포함하고, 상기 제2 형상을 갖는 요철의 측단면 형상은 사다리꼴 형태의 경사면에 상기 사다리꼴 형태의 요철보다 크기가 작은 복수 개의 요철이 결합된 형태를 포함하는 태양 전지
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