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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 제1 도전형을 가지는 제1 불순물을 포함하는 제1 층을 형성하는 단계; 상기 제1 층 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 위에 상기 제1 도전형을 가지는 제2 불순물을 포함하는 제1 전극용 페이스트를 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극용 페이스트를 소성하여 제1 전극을 형성하는 열처리 단계를 포함하고,상기 열처리 단계에서는, 상기 절연막을 관통하여 상기 제1 전극을 형성하면서 상기 반도체 기판으로 상기 제2 불순물을 확산시켜 상기 제1 층보다 높은 도핑 농도를 가지는 제1 부분을 형성하고 나머지 상기 제1 층이 상기 제1 부분보다 낮은 도핑 농도의 제2 부분을 이루도록 하여 제1 불순물층 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소성하는 단계의 피크 온도(peak temperature)는 720~760℃인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트를 형성하는 단계에서는, 상기 제1 전극용 페이스트가 인쇄에 의하여 도포되는 태양 전지의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트는 13~15 mg/cm2의 양만큼 도포되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트의 폭이 10~50㎛인 태양 전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트의 폭이 10~30㎛인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물이 서로 다른 물질인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트는 알루미늄을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 전극용 페이스트는 상기 알루미늄, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물이 보론을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 상기 제2 불순물이 p형이고, 상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지의 제조 방법
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반도체 기판; 상기 반도체 기판에 형성되며, 서로 동일한 도전형의 제1 불순물 및 제2 불순물을 포함하여 제1 저항을 가지는 제1 부분과 상기 제1 불순물을 포함하여 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항을 가지는 제2 부분을 포함하는 제1 불순물층; 상기 불순물층 위에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막을 관통하여 상기 제1 부분에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 불순물을 포함하는 제1 전극을 포함하는 태양 전지
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제12항에 있어서, 상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물이 서로 다른 물질인 태양 전지
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제12항에 있어서,상기 제1 전극은 알루미늄을 포함하는 태양 전지
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제12항에 있어서,상기 제1 불순물이 보론을 포함하고, 상기 제2 불순물이 알루미늄을 포함하는 태양 전지
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제12항에 있어서, 상기 제1 및 상기 제2 불순물이 p형이고, 상기 제1 불순물층이 에미터층인 태양 전지
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제12항에 있어서,상기 제1 전극의 폭이 10~50㎛인 태양 전지
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제17항에 있어서,상기 제1 전극의 폭이 10~30㎛인 태양 전지
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제12항에 있어서, 상기 제1 부분의 두께가 0
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제12항에 있어서,상기 반도체 기판에서 상기 제1 불순물층과 서로 이격되어 형성되며, 상기 제1 및 제2 불순물의 도전형과 반대되는 도전형을 가지는 제2 불순물층; 및 상기 제2 불순물층에 전기적으로 연결되는 제2 전극 을 더 포함하는 태양 전지
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