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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판의 후면 위에 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 에미터부를 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 도전층을 형성하는 단계;상기 도전층의 일부분 위에 제1 에칭 페이스트를 도포한 후, 열처리를 실시하여 상기 도전층의 일부분 또는 상기 도전층 및 상기 에미터부의 일부분을 식각하는 단계; 및상기 도전층의 일부분 또는 상기 도전층 및 상기 에미터부의 일부분이 식각된 상기 기판의 후면 일부분 위에 제1 보호막을 형성시키는 단계;상기 제1 보호막 위에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 도펀트 페이스트를 도포하고, 상기 도펀트 페이스트에 레이저 빔을 조사하여, 상기 도펀트 페이스트의 불순물을 상기 기판의 후면에 확산시켜, 상기 기판의 후면 내부에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 후면 전계부를 형성하는 단계; 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 후면 전계부와 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 에미터부는 상기 기판의 후면 위에 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하는 비정질 실리콘을 증착하여 형성하고,상기 후면 전계부는 상기 기판의 후면에 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 확산시켜 형성하는 태양 전지 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 에미터부를 형성하는 단계와 상기 후면 전계부를 형성하는 단계 사이에,상기 에미터부 위에 도전층을 형성하는 단계;상기 도전층 및 상기 에미터부의 일부를 식각하여 상기 기판의 후면 일부를 노출하는 단계; 및상기 노출된 기판 후면 일부와 상기 도전층 위에 제1 보호막을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 열처리 공정의 열처리 온도는 150℃ ~ 250℃ 사이인 태양 전지 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 도펀트 페이스트를 도포하는 단계에서, 상기 도펀트 페이스트는 식각에 의해 노출된 상기 기판의 후면 또는 상기 에미터부 위에 형성된 제1 보호막 위에 도포하는 태양 전지 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 도펀트 페이스트가 도포된 상기 제1 보호막의 일부분을 상기 레이저 빔에 의해 제거하는 태양 전지 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는 상기 도전층 위에 배치되는 제1 보호막 위에 제2 에칭 페이스트를 도포하는 단계; 및 열처리를 실시하여 상기 제1 보호막의 일부를 식각하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조 방법
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제15 항에 있어서,도금 방식을 이용하여 상기 도전층과 전기적으로 연결된 상기 제1 전극 및 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 상기 제2 전극을 형성하는 태양 전지 제조 방법
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