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반도체 기판을 준비하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 마스크의 슬릿을 이용하여 선택적으로 불순물을 도핑하여 제1 부분을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에서는, 상기 반도체 기판 위에 상기 마스크를 위치시켜 상기 불순물을 도핑하여 상기 제1 부분의 일 그룹을 형성하고, 상기 반도체 기판 위에서 상기 마스크를 이동시킨 후에 상기 불순물을 도핑하여 상기 제1 부분의 다른 그룹을 형성하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 슬릿은 서로 평행하게 형성되는 복수의 제1 슬릿부를 포함하고, 상기 마스크를 이동시킬 때 상기 마스크의 이동 거리를 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치보다 작게 하여 상기 제1 부분 사이의 피치가 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치보다 작은 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 마스크를 이동시킬 때 상기 마스크의 이동 방향은 상기 복수의 제1 슬릿부의 길이 방향과 교차하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 제1 부분 사이의 피치에 대한 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치 비율이 0
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제2항에 있어서,상기 P가 2~4인 정수인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에서, 상기 마스크의 이동 거리는 상기 제1 부분 사이의 피치에 대응하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 부분을 형성하는 단계 이전 또는 이후에, 상기 제1 부분보다 낮은 농도를 가지도록 상기 반도체 기판을 전체적으로 도핑하여 상기 제1 부분보다 낮은 도핑 농도를 가지는 제2 부분을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 불순물층이 에미터층 또는 후면 전계층인 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에 의하여 상기 불순물층이 국부적인 구조를 가지는 태양 전지의 불순물층의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 부분 사이의 피치가 1
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반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판에 마스크의 슬릿을 이용하여 선택적으로 불순물을 도핑하여 제1 부분을 형성하는 단계; 및 상기 제1 부분에 적어도 일부가 접촉하도록 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에서는, 상기 반도체 기판 위에 상기 마스크를 위치시켜 상기 불순물을 도핑하여 상기 제1 부분의 일 그룹을 형성하고, 상기 반도체 기판 위에서 상기 마스크를 이동시킨 후에 상기 불순물을 도핑하여 상기 제1 부분의 다른 그룹의 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 슬릿은 서로 평행하게 형성되는 복수의 제1 슬릿부를 포함하고, 상기 마스크를 이동시킬 때 상기 마스크의 이동 거리를 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치보다 작게 하여 상기 제1 부분 사이의 피치가 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치보다 작은 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 전극은, 서로 평행하게 형성되는 복수의 핑거 전극과, 상기 복수의 핑거 전극과 교차하는 방향을 따라 형성되어 상기 복수의 핑거 전극을 연결하는 버스바 전극을 포함하고, 상기 제1 슬릿부에 의하여 형성된 상기 제1 부분이 상기 핑거 전극에 대응하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 마스크를 이동시킬 때 상기 마스크의 이동 방향은 상기 복수의 제1 슬릿부의 길이 방향과 교차하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 부분 사이의 피치에 대한 상기 복수의 제1 슬릿부 사이의 피치 비율이 0
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제15항에 있어서, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에서, 상기 마스크의 이동 거리는 상기 제1 부분 사이의 피치에 대응하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 부분을 형성하는 단계 이전 또는 이후에, 상기 제1 부분보다 낮은 농도를 가지도록 상기 반도체 기판을 전체적으로 도핑하여 상기 제1 부분보다 낮은 도핑 농도를 가지는 제2 부분을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 불순물층이 에미터층 또는 후면 전계층인 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 부분을 형성하는 단계에 의하여 상기 불순물층이 국부적인 구조를 가지는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 부분의 사이의 피치가 1
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