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태양전지 및 이를 구비한 태양전지 모듈

  • 기술번호 : KST2015068712
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 태양전지는, 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 기판의 제1 면에 위치하며, 에미터부와 연결되는 제1 전극부; 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 기판의 제2 면에 위치하며, 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며, 에미터부는 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 제2 부분과 제3 부분을 포함하고, 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 제2 부분은 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 제3 부분은 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/05 (2014.01)
CPC H01L 31/035272(2013.01) H01L 31/035272(2013.01) H01L 31/035272(2013.01) H01L 31/035272(2013.01)
출원번호/일자 1020120082456 (2012.07.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0015953 (2014.02.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.17)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장대희 대한민국 서울 서초구
2 김보중 대한민국 서울 서초구
3 김태윤 대한민국 서울 서초구
4 김종대 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0603353-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0469504-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0102349-27
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0555026-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1020000-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1020001-63
9 등록결정서
Decision to grant
2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0145901-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부;상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며,상기 에미터부는 상기 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 2개의 제2 부분과 1개의 제3 부분을 포함하고,상기 2개의 제2 부분은 각각 제1 부분과 인접하여 위치하고, 상기 1개의 제3 부분은 2개의 제2 부분 사이에 위치하며,상기 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성되는 태양전지
2 2
제1항에서,상기 제1 도핑 농도와 상기 제3 도핑 농도가 서로 동일한 값을 갖는 태양전지
3 3
제2항에서,상기 제1 도핑 농도 및 상기 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+인 태양전지
4 4
제2항에서,상기 제1 부분과 상기 제3 부분이 서로 동일한 깊이로 형성되는 태양전지
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제2항에서,상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지
8 8
제1항에서,상기 제1 도핑 농도가 상기 제3 도핑 농도보다 큰 값을 갖는 태양전지
9 9
제8항에서,상기 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 상기 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+인 태양전지
10 10
제8항에서,상기 제1 부분은 제1 깊이로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제1 깊이보다 얕고 상기 제2 깊이보다 깊은 제3 깊이로 형성되는 태양전지
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제8항에서,상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지
14 14
제1항 내지 제4항, 제7항 내지 제10항 및 제13항 중 어느 한 항에서,상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 방향으로 길게 연장된 태양전지
15 15
제14항에서,상기 제1 전극부는 복수의 핑거 전극들을 포함하며, 상기 제2 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수가 상기 제3 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적은 태양전지
16 16
제15항에서,상기 제1 전극부는 상기 제3 부분에 위치하는 서로 인접한 적어도 2개의 핑거 전극들을 상기 제1 방향으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 태양전지
17 17
제15항에서,상기 제1 전극부는 상기 제1 방향으로 길게 연장되며 상기 복수의 핑거 전극들과 연결되는 집전부를 더 포함하는 태양전지
18 18
제15항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지
19 19
제17항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지
20 20
복수의 태양전지; 및서로 인접한 2개의 태양전지들 중 어느 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제1 영역 및 서로 이웃하는 태양전지들 중 다른 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제2 영역을 포함하며, 상기 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 어느 한 영역은 요철 표면을 포함하는 인터커넥터를 포함하고,상기 태양전지는,기판;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부;상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며,상기 에미터부는 상기 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 2개의 제2 부분과 1개의 제3 부분을 포함하고,상기 2개의 제2 부분은 각각 제1 부분과 인접하여 위치하고, 상기 1개의 제3 부분은 2개의 제2 부분 사이에 위치하며,상기 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성되는 태양전지 모듈
21 21
제20항에서,상기 제1 도핑 농도 및 상기 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+인 태양전지 모듈
22 22
제20항에서,상기 제1 부분과 상기 제3 부분이 서로 동일한 깊이로 형성되는 태양전지 모듈
23 23
제20항에서,상기 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 상기 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+인 태양전지 모듈
24 24
제20항에서,상기 제1 부분은 제1 깊이로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제1 깊이보다 얕고 상기 제2 깊이보다 깊은 제3 깊이로 형성되는 태양전지 모듈
25 25
삭제
26 26
삭제
27 27
제20항에서,상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지 모듈
28 28
제20항에서,상기 요철 표면은 상기 제1 영역의 표면 중 상기 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 형성되는 태양전지 모듈
29 29
제28항에서,상기 요철 표면은 상기 제2 영역의 표면 중 상기 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 더 형성되는 태양전지 모듈
30 30
제20항 내지 제24항 및 제27항 내지 제29항 중 어느 한 항에서,상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 방향으로 길게 연장된 태양전지 모듈
31 31
제30항에서,상기 제1 전극부는 복수의 핑거 전극들을 포함하며, 상기 제2 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수가 상기 제3 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적은 태양전지 모듈
32 32
제30항에서,상기 제1 전극부는 상기 제3 부분에 위치하는 서로 인접한 적어도 2개의 핑거 전극들을 상기 제1 방향으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 태양전지 모듈
33 33
제30항에서,상기 제1 전극부는 상기 제1 방향으로 길게 연장되며 상기 복수의 핑거 전극들과 연결되는 집전부를 더 포함하는 태양전지 모듈
34 34
제30항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지 모듈
35 35
제32항에서,상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지 모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.