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유기발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015068714
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자 제조방법은 불규칙한 요철구조를 가지는 광산란층을 저온에서 형성할 수 있다. 유기발광소자의 제조방법은 기판 상에 전구층을 형성하는 것, 전구층 상에 금속층 및 유기층을 차례로 형성하는 것, 열처리에 의하여 유기층으로부터 유기마스크를 형성하는 것, 금속층을 패터닝하여 금속마스크를 형성하는 것, 전구층을 패터닝하여 불규칙한 요철구조의 광산란층을 형성하는 것, 및 유기마스크와 금속 마스크를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 유기발광소자 제조방법은 저온에서 수행될 수 있어, 다양한 유기발광소자에 광산란층을 형성할 수 있다. 불규칙한 요철구조를 가지는 광산란층은 모든 파장의 빛에 대하여 광추출효율을 향상시키므로 백색 유기발광소자에도 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120083399 (2012.07.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1942092-0000 (2019.01.18)
공개번호/일자 10-2014-0017108 (2014.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20190125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이봉준 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 조두희 대한민국 대전 유성구
3 문제현 대한민국 대전 유성구
4 이정익 대한민국 경기 군포시 수리산로 ***, *
5 추혜용 대한민국 대전 유성구
6 박승구 대한민국 대전 서구
7 신진욱 대한민국 인천 남동구
8 허진우 대한민국 대전광역시 서구
9 조남성 대한민국 대전광역시 유성구
10 안준태 대한민국 대전 중구
11 한준한 대한민국 대전 유성구
12 주철웅 대한민국 서울 동작구
13 황주현 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0609867-25
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0033908-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0121877-53
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2018-0016643-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0262833-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0545713-42
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0545712-07
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0709503-10
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0202614-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구층이 도포된 기판을 제공하는 공정; 상기 전구층 상에 금속층 및 유기층을 차례로 형성하는 공정; 상기 유기층의 열처리에 의하여, 상기 유기층으로부터 유기마스크를 형성하는 공정; 상기 유기마스크를 이용하여 상기 금속층을 패터닝하여 금속마스크를 형성하는 공정; 상기 금속마스크를 이용하여 상기 전구층을 패터닝하여 불규칙한 요철구조의 광산란층을 형성하는 공정; 상기 금속마스크 및 상기 유기마스크를 제거하는 공정; 그리고상기 광산란층 상에 평탄층, 제1 전극, 유기발광층, 제2 전극 및 보호층을 차례로 적층하는 공정을 포함하고, 상기 유기마스크를 형성하는 공정은 상기 유기층 및 상기 금속층의 비젖음에 의하여 수행되는 유기발광소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서 상기 광산란층은 SiO2, SnO2, TiO2, TiO2-SiO2, ZrO2, Al2O3, HfO2, In2O3, ITO, 실리콘질화물(SiNx), 폴리에틸렌계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리염화비닐(PVC) 수지, 폴리비닐피롤리딘(polyvinylpyrrolidone, PVP) 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 또는 에폭시계 수지 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기발광소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유기층은 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리아크릴레이트, 납, 또는 주석 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기발광소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 유기마스크를 형성하는 공정은 상온 내지 250도 범위에서 열처리하는 것을 포함하는 유기발광소자 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서 상기 유기마스크는 불규칙한 형상, 크기 또는 배열을 가지는 패턴을 포함하는 유기발광소자 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 금속층은 10 내지 100nm의 두께를 가지는 유기발광소자 제조방법
8 8
제 1항에 있어서 상기 금속층은 백금, 금, 은, 구리, 니켈, 크롬, 텅스텐, 아연, 주석, 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate), PMMA), 폴리디메틸글루타르이미드(poly(dimethylglutarimide), PMGI), SU-8, 및/또는 알루미늄 산화물(Al2O3) 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기발광소자 제조방법
9 9
제 1항에 있어서 상기 금속마스크를 형성하는 공정은 상기 금속층에 불규칙한 크기 및 배열을 가지는 패턴을 형성시키는 것을 포함하는 유기발광소자 제조방법
10 10
제 1항에 있어서 상기 금속마스크를 형성하는 공정은 질산, 불산 또는 버퍼 옥사이드 식각(Buffered Oxide Etchant; BOE)에 의하여 상기 금속층을 식각하는 것을 포함하는 유기발광소자 제조방법
11 11
제 1항에 있어서 상기 광산란층을 형성하는 공정은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching; RIE) 또는 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma; ICP)식각에 의하여 상기 전구층을 식각하는 것을 포함하는 유기발광소자 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 산업융합원천기술개발사업(네트워크) 에너지 절감을 위한 외광효율이 최대 100% 향상된 OLED용 광추출 기초 원천기술 개발