| 1 |
1
기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 장벽층을 형성하는 단계;상기 장벽층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극의 사이의 상기 장벽층 위에 리세스 영역을 정의하고, 상기 장벽층을 식각하거나, 또는 상기 버퍼층의 상부의 일부 및 상기 장벽층을 식각하여 상기 리세스 영역을 형성하는 단계;인-시츄로 상기 리세스 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 리세스 영역을 형성하는 단계는,하나 이상의 에칭 가스를 이용하여 상기 버퍼층 상부에 형성된 2차원 전자 가스 채널이 형성된 영역 이하까지 식각하여 상기 리세스 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 리세스 영역을 형성하는 단계는,유도 결합형 플라즈마 장비를 이용하여 상기 리세스 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는,상기 유도 결합형 플라즈마 장비를 이용하여 상기 게이트 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제3 항에 있어서,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는,염화 붕소 가스를 이용하여 상기 리세스 영역 위에 보론 나이트라이드로 된 상기 게이트 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는,오믹 접촉에 의해 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 버퍼층 및 상기 장벽층은,금속-유기 화학적 기상 증착, 분자선 에피택시, 수소화물 기상 에피택시, 플라즈마 화학 기상 증착, 스퍼터링, 및 원자층 증착 중 하나 이상을 근거로 형성되는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장벽층 위에 알루미늄 갈륨 나이트라이드를 이용하여 캡층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
기판 위에 형성되고, 질화물로 이루어지는 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성되고, 상기 버퍼층을 이루는 상기 질화물과 이종 질화물로 이루어지는 장벽층;상기 장벽층 위에 각각 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 장벽층, 또는 상기 장벽층 및 상기 버퍼층의 상부의 일부가 식각되어 형성된 리세스 영역 위에 형성되고, 보론 나이트라이드로 이루어지는 게이트 절연막층; 및상기 게이트 절연막층 위에 접촉되는 게이트 전극;을 포함하고,상기 게이트 절연막층은 상기 리세스 영역이 식각되어 형성된 후 인-시츄로 형성되는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 리세스 영역 및 게이트 절연막층은,동일한 식각 장비에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
| 11 |
11
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 기판은,절연성 기판, 갈륨 나이트라이드 기판, 실리콘 카바이트 기판, 및 실리콘 기판 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
| 12 |
12
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 버퍼층은,갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 두께는 0
|
| 13 |
13
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 장벽층은,알루미늄 갈륨 나이트라이드로 이루어지고, 두께는 0 나노미터를 초과하고 100 나노미터 이하인 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
| 14 |
14
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 리세스 영역은,트렌치 형태, 브이-그루브 형태, 반원 형태, 및 계단 형태 중 하나 이상의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
| 15 |
15
제9 항 또는 제10 항에 있어서,상기 장벽층 위에 형성되고, 갈륨 나이트라이드 또는 알루미늄 갈륨 나이트라이드로 이루어지는 캡층;을 더 포함하는 인헨스먼트 질화물 반도체 소자
|
