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태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015068781
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는, 기판; 상기 기판 상면에 형성되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상면 형성되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상면에 형성되는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상면에 형성되는 전면 전극층을 포함하고, 상기 기판에는 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 금속층을 포함한다.실시예에 따른 태양전지 제조 방법은, 기판 내에 금속층을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; 상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020120092421 (2012.08.23)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1417321-0000 (2014.07.01)
공개번호/일자 10-2014-0027631 (2014.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명석 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0678706-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077518-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0816150-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0082063-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0082060-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0258037-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상면에 형성되는 후면 전극층;상기 후면 전극층 상면 형성되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상면에 형성되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상면에 형성되는 전면 전극층을 포함하고,상기 기판에는 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 금속층을 포함하고,상기 기판은,상기 금속층의 하면과 직접 접촉하는 제 1 기판; 및상기 금속층의 상면과 직접 접촉하는 제 2 기판을 포함하고,상기 제 1 기판의 두께와 상기 제 2 기판의 두께의 길이비는 8:2 내지 9:1인 태양전지
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 이를 포함하는 산화물을 포함하는 태양전지
3 3
제 1항에 있어서,상기 금속층은 은 및 알루미늄을 포함하는 태양전지
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속층은 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 샌드위치되는 태양전지
6 6
삭제
7 7
기판 내에 금속층을 형성하는 단계;상기 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 기판은,상기 금속층의 하면과 직접 접촉하는 제 1 기판; 및상기 금속층의 상면과 직접 접촉하는 제 2 기판을 포함하고,상기 제 1 기판의 두께와 상기 제 2 기판의 두께의 길이비는 8:2 내지 9:1인 태양전지 제조방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 금속층은 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 샌드위치되는 태양전지 제조 방법,
9 9
삭제
10 10
제 7항에 있어서,상기 금속층은 은, 알루미늄 또는 이를 포함하는 산화물을 포함하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.