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r-면 사파이어 기판;상기 사파이어 기판 상에 위치하고, a-면 또는 m-면 질화물계 반도체를 포함하는 핵 생성층;상기 핵 생성층 상에 위치하고, 제 1결함 밀도를 가지며, 상면에 경사면을 가지는 다수의 피트가 위치하는 제 1질화물 반도체층;상기 제 1질화물 반도체층 상의 적어도 상기 피트 상에 위치하는 다공성 마스크층; 및상기 다공성 마스크층 상에 위치하며, 상기 제 1결함 밀도보다 낮은 제 2결함 밀도를 가지는 제 2질화물 반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층은, 실리콘 질화막, 알루미늄 질화막, 실리콘 산화막, Al2O3, TiO2, HfO, ZnO, Ni, Cu, Ag, ITO, Al, 실리카 및 그래핀 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 제 1질화물 반도체층 및 제 2질화물 반도체층은, 상기 핵 생성층과 동일한 결정면을 가지는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층의 두께는, 1 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층의 구멍의 평균 크기는 10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층 상에는, 공기 간극을 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 이종 기판;상기 이종 기판 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;활성층;제 2전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 2전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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r-면 사파이어 기판의 제 1면 상에 a-면 또는 m-면 질화물계 반도체를 이용하여 핵 생성층을 형성하는 단계;상기 핵 생성층 상에, 경사를 가지는 다수의 피트가 형성된 제 1질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1질화물 반도체층 상에, 결정 결함의 적어도 일부를 차단하는 다공성 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 다공성 마스크층 상에 제 2질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 피트는, 상기 제 1질화물 반도체층과 다공성 마스크층의 경계면에 위치하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 피트는, 상기 질화물계 반도체의 결정 결함의 방향을 전환시키기 위한 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 제 1질화물 반도체층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 피트가 형성된 면을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 제 1면을 암모니아 기체 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 다공성 마스크층을 형성하는 단계는,상기 제 1질화물 반도체층의 전면 상에 박막을 형성하는 단계;상기 박막 상에 패턴 마스크를 형성하는 단계; 및상기 패턴 마스크를 이용하여 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 다공성 마스크층을 형성하는 단계는,상기 제 1질화물 반도체층의 전면 상에 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막에 임프린팅을 이용하여 패턴을 형성하여 패턴 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 다공성 마스크층을 형성하는 단계는,상기 제 1질화물 반도체층의 전면 상에 박막을 형성하는 단계; 상기 박막 상에 입자를 포함하는 액체를 코팅하는 단계; 및상기 입자들을 마스크로 이용하여 상기 박막을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 이종 기판의 제조 방법
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