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r-면 사파이어 기판 상에 a-면 또는 m-면 질화물계 반도체를 포함하는 제 1반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1반도체층 상에 다공성 마스크층을 형성하는 단계;상기 다공성 마스크층 상에 공기 간극을 가지는 제 2반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2반도체층 상에, 제 1전도성 반도체층, 활성층 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 형성하는 단계;상기 반도체 구조 상에 제 1전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극 상에 지지 기판을 위치시키는 단계;상기 사파이어 기판을 분리시키는 단계;상기 사파이어 기판이 분리되어 드러나는 상기 제 1반도체층과 상기 다공성 마스크층을 제거하여 상기 공기 간극 및 제 2반도체층을 노출시키는 단계; 및상기 제 2반도체층 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층은, 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 유전체층은, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 다공성 마스크층은, 실리콘 카바이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 공기 간극은, 불규칙적으로 분포하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 2반도체층은, 상기 제 1반도체층보다 결함 밀도가 감소된 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 마스크층 상에 공기 간극을 가지는 제 2반도체층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 제 2반도체층 상에는 다공성 마스크층을 더 형성하는 단계; 및상기 다공성 마스크층 상에 제 3반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 공기 간극 및 제 2반도체층을 노출시키는 단계 이후에는, 상기 제 2반도체층을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무분극 질화물계 발광 소자의 제조 방법
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지지 기판;상기 지지 기판 상에 위치하며, 질화물계 반도체를 포함하고, 제 1전도성 반도체층, 활성층 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조;상기 제 2형 반도체층 상에 위치하며, 일방향으로 서로 평행하게 위치하는 다수의 리지 패턴을 포함하는 광 추출 구조;상기 제 1형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 1전극; 및상기 제 2형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제 2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 9항에 있어서, 상기 광 추출 구조는, 상기 리지 패턴에 대하여 수직인 선형 홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 10항에 있어서, 상기 선형 홈은, 상기 리지 패턴보다 폭이 넓은 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 10항에 있어서, 상기 리지 패턴의 간격은, 상기 선형 홈 사이의 간격보다 큰 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 9항에 있어서, 상기 질화물계 반도체는, 무분극 질화물계 반도체인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 13항에 있어서, 상기 리지 패턴은, 상기 질화물계 반도체의 c-축 방향과 평행인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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제 13항에 있어서, 상기 무분극 질화물계 반도체는, a-면 또는 m-면 질화물계 반도체인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자
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