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제1 전도성 반도체층;상기 제1 전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층;상기 활성층 상에 위치하는 제2 전도성 반도체층;상기 제1 전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 제2 전도성 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및상기 제1 전도성 반도체층 및 상기 활성층 사이에 위치하고, 상기 제1 전도성 반도체층에 상기 제1 전도성 반도체층에 발생되는 응력과 반대되는 응력을 제공하는 도핑되지 않는 GaN 층을 포함하는 응력제공층 및 상기 응력제공층의 성장에 따른 변형률을 완화시키는 n-GaN 층을 포함하는 변형률완화층을 포함하여, 상기 제1 전도성 반도체층에 상기 제1 전도성 반도체층에서 발생되는 응력과 반대되는 응력을 제공하는 응력제어층을 포함하는 질화물 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 응력제어층 및 상기 활성층 사이에는 제3 전도성 반도체층을 더 포함하는 질화물 반도체 발광 소자
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3
제1항에 있어서,상기 제1 전도성 반도체층에 발생되는 응력은 인장응력이고, 상기 응력제공층은 압축응력을 제공하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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삭제
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제1항에 있어서,상기 응력제어층은 상기 도핑되지 않은 GaN층과 상기 n-GaN층이 교대로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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6
제1항에 있어서,상기 도핑되지 않은 GaN층의 두께는 5nm 내지 500nm이고, 상기 n-GaN층의 두께는 1nm 내지 200nm인 질화물 반도체 발광 소자
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7
제1항에 있어서,상기 n-GaN층의 도핑 농도는 1E17 cm-3 내지 5E19 cm-3인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 응력제어층의 두께는 1000nm 이하인 것 질화물 반도체 발광 소자
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제5항에 있어서,상기 n-GaN층들의 도핑 농도는 상기 활성층 방향으로 계단 형태로 증가 또는 감소되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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10
제5항에 있어서,상기 응력제어층의 구조는 초격자층 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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11
제10항에 있어서,상기 도핑되지 않은 GaN층의 두께는 1nm 내지 50nm이고, 상기 n-GaN층의 두께는 1nm 내지 50nm인 질화물 반도체 발광 소자
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삭제
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13
삭제
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14
제1항에 있어서,상기 n-GaN층의 도핑 농도는 상기 활성층 방향으로 갈수록 점진적으로 증가 또는 감소되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제14항에 있어서,상기 응력제어층의 두께는 2000nm 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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