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제 1 GaN 층;상기 제 1 GaN 층 상에 형성되는 AlGaN 층;상기 AlGaN 층 상에 형성되는 제 2 GaN 층; 및상기 2 GaN 층의 일부 영역 상에 형성되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하되,상기 제 1 GaN 층은,복수의 GaN 층 및 상기 복수의 GaN 층 사이에 형성되는 FexNy 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제 1 GaN 층의 두께는,0
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제1항에 있어서, 상기 FexNy 층의 두께는,1nm ~ 20nm인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 FexNy 층은,복수 개인 것인 반도체 소자
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제4항에 있어서, 상기 복수의 GaN층은,상기 복수의 FexNy 층 각각을 사이에 두고 서로 이격하도록 적층된 것인 반도체 소자
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제4항에 있어서, 상기 복수의 FexNy 층의 개수는,2 ~ 20인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 GaN 층은,p형 도펀트로 도핑되는 것인 반도체 소자
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제7항에 있어서, 상기 p형 도펀트는,C, Mg 및 Fe 중 적어도 하나인 것인 반도체 소자
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제7항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 도핑량은,1e17/cm3 ~ 1e19/cm3인 것인 반도체 소자
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제7항에 있어서, 상기 p형 도펀트는,상기 제 1 GaN층의 적층 방향으로의 상기 p형 도펀트에 대한 도핑량을 나타내는 도핑 프로파일을 근거로 도핑되는 것인 반도체 소자
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제10항에 있어서, 상기 도핑 프로파일은,상기 제 1 GaN 층 내에서 상기 p형 도펀트의 도핑량이 상기 제 1 GaN 층의 적층 방향으로 일정 거리까지 유지되었다가, 특정 거리부터 특정 기울기로 줄어드는 형태의 도핑 프로파일인 것인 반도체 소자
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제7항에 있어서, 상기 p형 도펀트의 도핑량은,상기 AlGaN 층의 하부로부터 특정 깊이까지는 최소 도핑량 이하가 되는 것인 반도체 소자
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제12항에 있어서, 상기 특정 깊이는,2nm ~ 50nm인 것인 반도체 소자
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제12항에 있어서, 상기 최소 도핑량은,1e17/cm3 인 것인 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 FexNy 층은,복수의 FexNy 결정체들이 상기 제 1 GaN 층의 적층 방향의 수직 방향으로이격하여 배치되는 아일랜드(island) 형태를 구비하는 것인 반도체 소자
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기판 상에 제 1 GaN 층을 형성시키는 단계;상기 제 1 GaN 층 상에 AlGaN 층을 형성시키는 단계;상기 AlGaN 층 상에 제 2 GaN 층을 형성시키는 단계; 및상기 2 GaN 층의 일부 영역 상에 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 형성시키는 단계를 포함하되,상기 제 1 GaN 층은,FexNy 층을 사이에 두고, 서로 이격하도록 적층된 복수의 GaN층을 포함하는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 제 1 GaN층, 상기 AlGaN층 및 상기 제 2 GaN층은,유기 금속 기상 성장법(MOCVD), 분자선 에피성장법(MBE), 힐라이드 기상 성장법(HVPE), PECVD (Plasma-enhanced chemical vapor deposition), 스퍼터링(Sputtering) 및 ALD(atomic layer deposition) 중 적어도 하나를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 FexNy 층은,Fe 소스(source) 및 Si3H4 개스(gas)를 근거로 형성되는 것인 반도체 소자의 제조방법
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