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건식 식각 공정을 실시하여, 복수의 미세 돌출부를 포함하는 텍스처링 표면을 반도체 기판의 제1 면에 형성하는 단계;염기성 케미컬(chemical)을 이용하여, 복수의 미세 돌출부의 표면 손상부를 제거하고, 상기 미세 돌출부의 표면에 흡착된 불순물을 제거하는 제1 세정 단계;산성 케미컬을 이용하여, 상기 제1 세정 단계 후에 상기 미세 돌출부의 표면에 잔존하거나 재흡착된 불순물을 제거하는 제2 세정 단계; 및상기 반도체 기판의 제1 표면에 에미터부를 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 식각법을 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 염기성 케미컬은 초순수와 수산화기(-OH)를 포함하는 염기성 물질을 혼합하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제3항에서,상기 염기성 케미컬은 과산화수소를 추가하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제3항에서,상기 수산화기를 포함하는 염기성 물질로 수산화칼륨 용액 또는 수산화암모늄 용액을 사용하는 태양전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 산성 케미컬은 초순수와 염산 및 과산화수소를 혼합하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 제1 세정 단계와 상기 제2 세정 단계 사이에, 희석된 산성 케미컬을 이용하여 상기 미세 돌출부의 표면을 한번 더 세정하는 태양전지의 제조 방법
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제7항에서,상기 희석된 산성 케미컬은 초순수와 불산을 혼합하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 제2 세정 단계 후에, 희석된 산성 케미컬을 이용하여 상기 미세 돌출부의 표면을 한번 더 세정하는 태양전지의 제조 방법
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제9항에서,상기 희석된 산성 케미컬은 초순수와 불산을 혼합하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 산성 케미컬은 초순수와 염산 및 불산을 혼합하여 형성한 태양전지의 제조 방법
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,상기 에미터부를 형성하는 단계는 이온 주입법 또는 열 확산법에 의해 상기 반도체 기판의 제1 면에 제1 도전성의 불순물을 주입하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제12항에서,복수의 미세 돌출부를 포함하는 제2 텍스처링 표면을 상기 반도체 기판의 제1 면의 반대 쪽에 위치하는 제2 면에 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 후면 전계부를 국부적으로 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 후면 전계부를 형성하는 단계는 상기 제1 도전성의 반대 도전성을 갖는 제2 도전성의 불순물을 이온 주입법 또는 열 확산법에 의해 상기 반도체 기판의 제2 면에 주입하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제14항에서,상기 기판의 제2 면에 제1 유전층(first dielectric layer)을 형성하는 단계;상기 에미터부 위, 그리고 상기 기판의 제2 면에 위치한 제1 유전층 위에 제2 유전층을 동시에 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 위치한 상기 제2 유전층 위에 제3 유전층을 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 연결되는 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제15항에서,상기 제1 유전층 및 상기 제3 유전층은 수소화된 실리콘 질화물을 70㎚ 내지 100㎚의 두께로 증착하여 각각 형성하고, 상기 제2 유전층은 알루미늄 산화물을 5㎚ 내지 15㎚의 두께로 증착하여 형성하며, 상기 알루미늄 산화물은 원자층 증착법을 사용하여 증착하는 태양전지의 제조 방법
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제15항에서,상기 후면 전계부는 상기 제2 전극부의 복수의 핑거 전극과 동일한 패턴으로 형성하는 태양전지의 제조 방법
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