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마스크리스 노광장치 및 노광방법

  • 기술번호 : KST2015069002
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신뢰도를 향상시킬 수 있는 마스크리스 노광장치가 개시된다. 개시된 마스크리스 노광장치는 적어도 두번째 이후의 포토리쏘그라피 공정에서 마스크리스 노광공정을 수행전에 모기판의 변형을 계측하는 계측부 및 계측부에 의해 모기판의 변형을 보상하는 패턴 디자인을 기초로 마스크리스 노광공정을 수행하는 노광부를 포함한다.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01)
출원번호/일자 1020120101795 (2012.09.13)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1999854-0000 (2019.07.08)
공개번호/일자 10-2014-0035198 (2014.03.21) 문서열기
공고번호/일자 (20191001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문동희 대한민국 경기 파주시 쇠재로 **,
2 전덕찬 대한민국 경북 구미시
3 최원철 대한민국 경기 오산시 오산로**

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742772-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0551953-75
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.07.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0663966-41
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0104839-33
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0671385-67
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0107928-13
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0833897-11
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0045999-41
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0762077-37
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0021200-21
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0021201-77
14 등록결정서
Decision to grant
2019.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0320153-00
15 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5027690-47
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모기판에 포함된 위치 결정패턴의 위치정보에 기초하여 상기 모기판의 변형을 계측하는 계측부; 및상기 모기판의 감광막을 노광할 패턴 이미지에 대응하는 패턴 디자인을 생성하고, 상기 계측된 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인을 변환하며, 상기 변환된 패턴 디자인을 기초로 마스크리스 노광공정을 수행하는 노광부를 포함하고,상기 노광부는 상기 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인에 포함된 패턴 사이의 간격을 변환하는 마스크리스 노광장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 노광부는,광원빔을 생성하는 광원;상기 광원빔을 상기 패턴 디자인에 대응한 노광빔으로 변환하는 디지털 마이크로 미러 소자;상기 디지털 마이크로 미러 소자에 의한 상기 노광빔의 조사 면적을 확장시키는 빔 익스펜더;상기 빔 익스펜더로부터의 확장된 노광빔을 복수개로 분리하여 집광시키는 멀티 렌즈 어레이;상기 멀티렌즈 어레이로부터 집광된 노광빔들의 해상도를 조절하는 프로젝션 렌즈; 및상기 패턴 디자인을 제어하는 DMD(Digital Micro-mirror Device) 제어부를 포함하는 마스크리스 노광장치
3 3
제2 항에 있어서,상기 모기판은 이전 노광공정을 수행하기 전에 상기 모기판에 배치된 제1 위치 결정패턴, 및 상기 이전 노광공정에 의해 상기 모기판에 배치되는 제2 위치 결정패턴을 포함하고,상기 계측부는 상기 제1 위치 결정패턴의 위치정보와, 상기 제2 위치 결정패턴의 위치정보를 비교하는 좌표 비교부; 및상기 좌표 비교부의 비교 결과에 기초하여 상기 모기판의 변형에 대응하는 좌표 변환 데이터를 생성하고, 상기 생성된 좌표 변환 데이터를 상기 DMD 제어부에 공급하는 좌표 변환부를 포함하는 마스크리스 노광장치
4 4
제3 항에 있어서,상기 DMD 제어부는 상기 모기판의 감광막을 노광할 패턴 이미지에 대응하는 상기 패턴 디자인을 생성하고, 상기 좌표 변환 데이터를 이용하여 상기 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인을 변환하는 패턴 생성부; 및상기 패턴 생성부로부터 전달된 패턴 디자인이 저장되는 저장부를 포함하는 마스크리스 노광장치
5 5
제1 항에 있어서,상기 모기판은 복수의 표시 영역과 상기 복수의 표시 영역의 주변에 위치한 비표시영역으로 구분되고, 상기 위치 결정패턴은 상기 모기판의 상기 비표시영역 중 상기 각 표시 영역의 가장자리마다 형성되는 마스크리스 노광장치
6 6
모기판에 포함된 위치 결정패턴의 위치정보에 기초하여 상기 모기판의 변형을 계측하는 단계; 상기 모기판의 감광막을 노광할 패턴 이미지에 대응하는 패턴 디자인을 생성하는 단계;상기 계측된 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인을 변환하는 단계; 및상기 변환된 패턴 디자인을 기초로 마스크리스 노광공정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 패턴 디자인을 변환하는 단계에서, 상기 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인에 포함된 패턴 사이의 간격을 변환하는 마스크리스 노광방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 마스크리스 노광공정을 수행하는 단계는광원에 의해 광원빔을 생성하는 단계;상기 광원빔을 상기 패턴 디자인에 대응한 노광빔으로 변환하는 단계;상기 노광빔의 조사 면적을 확장시키는 단계;상기 확장된 노광빔을 복수개로 분리하여 집광시키는 단계; 및상기 집광된 노광빔들의 해상도를 조절하는 단계를 포함하는 마스크리스 노광방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 모기판은 이전 노광공정을 수행하기 전에 상기 모기판에 배치된 제1 위치 결정패턴, 및 상기 이전 노광공정에 의해 상기 모기판에 배치되는 제2 위치 결정패턴을 포함하고,상기 모기판의 변형을 계측하는 단계는 상기 제1 위치 결정패턴의 위치정보와, 상기 제2 위치 결정패턴의 위치정보를 비교하는 단계; 및상기 위치정보의 비교 결과에 기초하여 상기 모기판의 변형에 대응하는 좌표 변환 데이터를 생성하는 단계를 포함하고,상기 패턴 디자인을 변환하는 단계는, 상기 좌표 변환 데이터를 이용하여 상기 모기판의 변형을 보상하도록 상기 패턴 디자인을 변환하는 단계를 포함하는 마스크리스 노광방법
9 9
삭제
10 10
제6 항에 있어서,상기 모기판은 복수의 표시 영역과 상기 복수의 표시 영역의 주변에 위치한 비표시 영역으로 구분되고, 상기 위치 결정패턴은 상기 모기판의 상기 비표시영역 중 상기 각 표시 영역의 가장자리마다 형성되는 마스크리스 노광방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.